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華虹半導(dǎo)體有限公司第二代90納米嵌入式閃存 (90nm G2 eFlash) 工藝平臺(tái)已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，技術(shù)實(shí)力和競(jìng)爭(zhēng)力再度加強(qiáng)。 華虹半導(dǎo)體在第一代90納米嵌入式閃存 (90nm G1 eFlash) 工藝技術(shù)積累的基礎(chǔ)上，于90nm G2 eFlash工藝平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了多方面的技術(shù)提升。90nm G2微縮了Flash的元胞尺寸，較第一代減小約25%，為目前全球晶圓代工廠(chǎng)90納米工藝節(jié)點(diǎn)嵌入式閃存技術(shù)的最小尺寸。此外，90nm G2采用了新的Flash IP設(shè)計(jì)架構(gòu)，在保證高可靠性 (即10萬(wàn)次擦寫(xiě)及25年數(shù)據(jù)保持能力) 的同時(shí)，提供了極小面積的低功耗Flash IP。因此，90nm G2 eFlash能夠大大縮小整體芯片面積，從而在單片晶圓上擁有更多的裸芯片數(shù)量，尤其對(duì)于具有高容量eFlash的芯片產(chǎn)品，90nm G2 eFlash的面積優(yōu)勢(shì)更為顯著。值得一提的是，90nm G2 eFlash在第一代的基礎(chǔ)上又縮減了一層光罩，使得制造成本更低。 目前，90nm G2 eFlash已實(shí)現(xiàn)了高良率的穩(wěn)定量產(chǎn)，成功用于大規(guī)模生產(chǎn)電信卡芯片，并將為智能卡芯片、安全芯片產(chǎn)品以及MCU等多元化產(chǎn)品提供更具性?xún)r(jià)比的芯片制造技術(shù)解決方案。 華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示：“第二代的90nm G2 eFlash工藝的成功量產(chǎn)，標(biāo)志著華虹半導(dǎo)體在特色化嵌入式閃存技術(shù)上的又一次成功。嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是我們的戰(zhàn)略重點(diǎn)之一，長(zhǎng)期以來(lái)憑借著高安全性、高穩(wěn)定性、高性?xún)r(jià)比以及技術(shù)先進(jìn)性在業(yè)界廣受認(rèn)可。作為全球領(lǐng)先的智能卡IC代工廠(chǎng)，華虹半導(dǎo)體將堅(jiān)持深耕，不斷優(yōu)化工藝，升級(jí)平臺(tái)，持續(xù)領(lǐng)航智能IC卡代工領(lǐng)域，并大力發(fā)力物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車(chē)等高增長(zhǎng)新興市場(chǎng)。” |
