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新IP將閃存與EEPROM元件相結(jié)合，增強數(shù)據(jù)保持能力，具備同類最佳的運行可靠性 模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布一項非易失性存儲領(lǐng)域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術(shù)：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點平臺，X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標準的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2025年起，X-FAB還計劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲空間的EEPROM。 
通過采用獨特的方法，將閃存和EEPROM元件都置于單個宏單元內(nèi)，并共享必要的控制電路。這意味著使用更簡單的布局從而減少組合元件的總體占用面積，并為支持Grade-0，175°C的32KBytes存儲解決方案設定了新的行業(yè)基準。 該嵌入式閃存為客戶帶來市場上最先進的數(shù)據(jù)訪問能力，能夠在整個-40°C至175°C溫度范圍內(nèi)讀取數(shù)據(jù)，而EEPROM也能在高達175°C的溫度下寫入數(shù)據(jù)。EEPROM適用于需要頻繁寫入數(shù)據(jù)的應用，可提高閃存的耐用性與靈活性；它還可以有效地充當緩存，在工作條件不適合寫入閃存時將數(shù)據(jù)編程至EEPROM，然后當溫度降至125°C以下時再寫入閃存。得益于出色的穩(wěn)健性、持續(xù)的數(shù)據(jù)存儲完整性和顯著的空間節(jié)省，該IP旨在滿足汽車、醫(yī)療和工業(yè)應用的需求。 這款新型NVM組合IP采用64位總線，閃存元件采用8位ECC，EEPROM元件采用14位ECC，這使得集成該IP所部署的器件實現(xiàn)零PPM誤差性能。用于輕松訪問存儲器和DFT的專用電路可大幅縮短測試時間，并將相關(guān)成本降至最低。如有需要，X-FAB還可提供BIST模塊和測試服務。
X-FAB法國無塵室 “通過這款采用我們專有SONOS技術(shù)的新型NVM IP，X-FAB實現(xiàn)了最高水準的可靠性。這一IP將為我們客戶的嵌入式系統(tǒng)提供一流的數(shù)據(jù)保持能力和溫度穩(wěn)定性。”X-FAB NVM開發(fā)總監(jiān)Thomas Ramsch介紹說，“通過將閃存和EEPROM兩種不同的NVM元件集成到單個宏單元上，我們現(xiàn)在可以構(gòu)建一種能夠應對最嚴苛的工作情況的嵌入式數(shù)據(jù)存儲解決方案�！� “憑借更小的占用空間和更快的訪問速度，我們的NVM組合IP將在高邏輯密度應用的開發(fā)中發(fā)揮關(guān)鍵作用。”X-FAB NVM解決方案技術(shù)營銷經(jīng)理Nando Basile補充道，“這將使下一代智能傳感器和執(zhí)行器CPU系統(tǒng)設計無論是在ARM或RISC-V等成熟CPU架構(gòu)上，還是在客戶的專有設計中具備更廣泛的功能范圍。” 縮略語： BCD Bipolar-CMOS-DMOS ：雙極型晶體管-互補金屬氧化物半導體-雙擴散金屬氧化物半導體 NVM Non-Volatile-Memory：非易失性存儲 BIST Build-In Self-Test：內(nèi)建自測試 DFT Design for Testability：可測性設計 ECC Error Checking and Correcting：錯誤檢查和糾正 EEPROM 帶電可擦可編程只讀存儲器 PPM 百萬分率 SOI 絕緣體上硅 SONOS Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅 |
