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電子工程師雜談列表

微軟對華為供貨許可未獲延期 有何影響?

微軟對華為的Windows操作系統供貨許可即將于2025年3月底到期,且未獲延期。這一事件對華為及其PC業務的影響可從多個維度DeepSeek分析: 一、產品策略調整 操作系統全面轉向國產化 華為將放 ...
2025年03月14日 18:05   |  
鴻蒙   華為PC   Windows  

功率器件熱設計基礎(十一)——功率半導體器件的功率端子

功率器件熱設計基礎(十一)——功率半導體器件的功率端子
前言 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。 ...
2025年03月14日 15:39   |  
英飛凌   功率端子   功率半導體   功率器件  

安富利:供應鏈強則企業強

在外圍局勢風云變幻的當下,供應鏈的安全與穩定受到前所未有的重視。對于注重持續創新的硬科技企業而言,情況更是如此。面對復雜多變的市場環境,硬科技企業能夠破浪前行、韌性增長的“武功秘籍 ...
2025年03月12日 17:53   |  
安富利   供應鏈  

AMEYA360:村田微小等級片狀電感器發布,僅0.16mm×0.08mm!

 株式會社村田制作所已開始開發微小等級的016008尺寸(0.16mm × 0.08mm)片狀電感器,并致力于將其商品化。該產品已在年初(2025年1月)舉行的CES 2025展會展出! 〗陙,由于電子設備的高性 ...
2025年03月06日 13:54

臺積電為什么要在美國追加1000億美元投資新建五家芯片工廠?

DeepSeek說,臺積電宣布在美國追加1000億美元投資新建五家芯片工廠(包括3座晶圓廠和2座先進封裝廠)及研發中心,這一決策背后涉及多重動因。綜合搜索結果可歸納為以下幾點: 1. 應對美國政 ...
2025年03月05日 17:08   |  
芯片工廠   臺積電  

功率器件熱設計基礎(十)——功率半導體器件的結構函數

功率器件熱設計基礎(十)——功率半導體器件的結構函數
/ 前言 / 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。 ...
2025年03月04日 16:23   |  
功率器件   英飛凌   功率半導體   結構函數  

功率器件熱設計基礎(九)——功率半導體模塊的熱擴散

功率器件熱設計基礎(九)——功率半導體模塊的熱擴散
/ 前言 / 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。 ...
2025年02月26日 16:24   |  
IGBT  

功率器件熱設計基礎(八)——利用瞬態熱阻計算二極管浪涌電流

功率器件熱設計基礎(八)——利用瞬態熱阻計算二極管浪涌電流
/ 前言 / 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性 ...
2025年02月21日 15:37   |  
功率器件   瞬態熱阻   IGBT   英飛凌  

展望2025:人工智能將改變數據中心建設的方式

作者:康普企業網絡大中華區總經理兼副總裁 陳嵐 回望2024,人工智能(AI)對行業產生的影響顯露無疑。去年,數據中心對AI計算的需求呈指數級增長,這將促使行業采用更高效的流程,加快構建 ...
2025年02月18日 18:21   |  
數據中心   人工智能  

功率器件熱設計基礎(七)——熱等效模型

功率器件熱設計基礎(七)——熱等效模型
/ 前言 / 功率半導體熱設計是實現IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性 ...
2025年02月11日 16:45   |  
功率器件  

ADI新年寄語 |激活智能邊緣,把握數字時代新機遇

趙傳禹,ADI中國區銷售副總裁 新數字時代,隨著人工智能、機器學習等技術在全球范圍內迅速實現大規模的普及與應用,人與機器的交互方式發生了根本性的變化,這從根本上重塑了我們生活的世界 ...
2025年02月05日 18:50   |  
ADI   智能邊緣   邊緣AI  

功率器件熱設計基礎(六)——瞬態熱測量

功率器件熱設計基礎(六)——瞬態熱測量
/ 前言 / 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性 ...
2025年01月21日 15:54   |  
功率器件   IGBT   英飛凌  

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