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電子工程師雜談列表

英飛凌高信噪比MEMS麥克風驅動人工智能交互

英飛凌高信噪比MEMS麥克風驅動人工智能交互
導言 在英飛凌,我們一直堅信卓越的音頻解決方案對于提升消費類設備的用戶體驗至關重要。我們堅定不移地致力于創新,在主動降噪、語音透傳、錄音室錄音、音頻變焦和其他相關技術方面取得了 ...
2025年04月02日 16:20   |  
人工智能   英飛凌   信噪比  

AMEYA360:森國科SGK32F031:穩定、高效、低成本FOC高速風筒方案

 隨著AI、5G等新興技術的快速發展,智能小家電市場在不斷地迭代更新,人們對于家電產品的選擇也更為嚴苛。輕便、小巧、智能成為很多家用電器的選擇標準,高速吹風筒也成為其中之一。  森國科 ...
2025年03月28日 11:26

功率器件熱設計基礎(十三)——使用熱系數Ψth(j-top)獲取結溫信息

功率器件熱設計基礎(十三)——使用熱系數Ψth(j-top)獲取結溫信息
前言 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。 ...
2025年03月26日 16:06   |  
功率器件   IC散熱   熱系數   英飛凌  

2025年及未來半導體行業的八大趨勢

來源:意法半導體博客 鑒于過去幾十年技術變革的速度,預測趨勢似乎是一項吃力不討好的任務。但我們認為擁有前瞻性的視角很重要,以下是我們對未來幾年可能持續塑造和重塑行業的因素的預測。 ...
2025年03月19日 18:46   |  
邊緣AI   硅技術   NPU   量子計算   生物傳感器  

AMEYA360代理:瑞薩電子推出具備預驗證固件的完整鋰離子電池管理平臺

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(TSE:6723)今日宣布推出針對電動自行車、吸塵器、機器人和無人機等多種采用鋰電池供電的消費產品推出鋰電池組一站式管理解決方案——R-BMS F。得益于所提供的 ...
2025年03月19日 14:39

功率器件熱設計基礎(十二)——功率半導體器件的PCB設計

功率器件熱設計基礎(十二)——功率半導體器件的PCB設計
前言 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。 ...
2025年03月18日 16:54   |  
功率器件   功率半導體   PCB設計   IGBT  

微軟對華為供貨許可未獲延期 有何影響?

微軟對華為的Windows操作系統供貨許可即將于2025年3月底到期,且未獲延期。這一事件對華為及其PC業務的影響可從多個維度DeepSeek分析: 一、產品策略調整 操作系統全面轉向國產化 華為將放 ...
2025年03月14日 18:05   |  
鴻蒙   華為PC   Windows  

功率器件熱設計基礎(十一)——功率半導體器件的功率端子

功率器件熱設計基礎(十一)——功率半導體器件的功率端子
前言 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。 ...
2025年03月14日 15:39   |  
英飛凌   功率端子   功率半導體   功率器件  

安富利:供應鏈強則企業強

在外圍局勢風云變幻的當下,供應鏈的安全與穩定受到前所未有的重視。對于注重持續創新的硬科技企業而言,情況更是如此。面對復雜多變的市場環境,硬科技企業能夠破浪前行、韌性增長的“武功秘籍 ...
2025年03月12日 17:53   |  
安富利   供應鏈  

AMEYA360:村田微小等級片狀電感器發布,僅0.16mm×0.08mm!

 株式會社村田制作所已開始開發微小等級的016008尺寸(0.16mm × 0.08mm)片狀電感器,并致力于將其商品化。該產品已在年初(2025年1月)舉行的CES 2025展會展出。  近年來,由于電子設備的高性 ...
2025年03月06日 13:54

臺積電為什么要在美國追加1000億美元投資新建五家芯片工廠?

DeepSeek說,臺積電宣布在美國追加1000億美元投資新建五家芯片工廠(包括3座晶圓廠和2座先進封裝廠)及研發中心,這一決策背后涉及多重動因。綜合搜索結果可歸納為以下幾點: 1. 應對美國政 ...
2025年03月05日 17:08   |  
芯片工廠   臺積電  

功率器件熱設計基礎(十)——功率半導體器件的結構函數

功率器件熱設計基礎(十)——功率半導體器件的結構函數
/ 前言 / 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。 ...
2025年03月04日 16:23   |  
功率器件   英飛凌   功率半導體   結構函數  

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