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華虹半導體有限公司第二代90納米嵌入式閃存 (90nm G2 eFlash) 工藝平臺已成功實現量產，技術實力和競爭力再度加強。 華虹半導體在第一代90納米嵌入式閃存 (90nm G1 eFlash) 工藝技術積累的基礎上，于90nm G2 eFlash工藝平臺實現了多方面的技術提升。90nm G2微縮了Flash的元胞尺寸，較第一代減小約25%，為目前全球晶圓代工廠90納米工藝節點嵌入式閃存技術的最小尺寸。此外，90nm G2采用了新的Flash IP設計架構，在保證高可靠性 (即10萬次擦寫及25年數據保持能力) 的同時，提供了極小面積的低功耗Flash IP。因此，90nm G2 eFlash能夠大大縮小整體芯片面積，從而在單片晶圓上擁有更多的裸芯片數量，尤其對于具有高容量eFlash的芯片產品，90nm G2 eFlash的面積優勢更為顯著。值得一提的是，90nm G2 eFlash在第一代的基礎上又縮減了一層光罩，使得制造成本更低。 目前，90nm G2 eFlash已實現了高良率的穩定量產，成功用于大規模生產電信卡芯片，并將為智能卡芯片、安全芯片產品以及MCU等多元化產品提供更具性價比的芯片制造技術解決方案。 華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示：“第二代的90nm G2 eFlash工藝的成功量產，標志著華虹半導體在特色化嵌入式閃存技術上的又一次成功。嵌入式非易失性存儲器技術是我們的戰略重點之一，長期以來憑借著高安全性、高穩定性、高性價比以及技術先進性在業界廣受認可。作為全球領先的智能卡IC代工廠，華虹半導體將堅持深耕，不斷優化工藝，升級平臺，持續領航智能IC卡代工領域，并大力發力物聯網、新能源汽車等高增長新興市場。” |
