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華虹半導體有限公司近日宣布，最新推出90納米超低漏電（Ultra-Low-Leakage，ULL）嵌入式閃存（eFlash）和電可擦可編程只讀存儲器（EEPROM）工藝平臺，滿足大容量微控制器（MCU）的需求。該工藝平臺作為華虹半導體0.11微米超低漏電技術的延續，以更低的功耗和成本為客戶提供具有競爭力的差異化解決方案，適用于物聯網、可穿戴式設備、工業及汽車電子等方面的應用。 新近推出的90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺1.5V 核心N型和P型MOS晶體管漏電達到0.2pA/μm，可有效延長MCU設備的待機時間。該平臺的嵌入式非易失性存儲器（eNVM，Embedded Non-Volatile Memory）IP具有10萬至50萬次擦寫次數、讀取速度達30ns等獨特優勢。同時邏輯單元庫集成度高，達到400K gate/mm2以上，能夠幫助客戶多方面縮小芯片面積。 該工藝平臺的最大優勢是集成了公司自有專利的分離柵NORD 嵌入式閃存技術，在90納米工藝下擁有目前業界最小元胞尺寸和面積最小的嵌入式NORflash IP，而且具有光罩層數少的優勢，幫助客戶進一步降低MCU、尤其是大容量MCU產品的制造成本。該平臺同時支持射頻（RF）、eFlash和EEPROM。 華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示：“公司致力于差異化技術的創新和不斷優化，為客戶提供市場急需的、成本效益高的工藝和技術服務。在精進8英寸平臺的同時，加快12英寸產線的產能擴充和技術研發。物聯網、汽車電子是MCU應用的增量市場，此次90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺的推出，進一步擴大了華虹半導體MCU客戶群在超低功耗的市場應用領域的代工選擇空間。” |
