|
以高速順序寫入速度和高容量優化用戶5G時代移動新體驗 西部數據公司發布新款嵌入式閃存盤，旨在從速度和容量方面更好地優化超高端智能手機及移動設備的功能，豐富5G時代環境下智能手機用戶的移動體驗。iNAND MC EU511采用公司先進的96層3D NAND技術，支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane規范。性能優越的第6代iNAND SmartSLC技術可實現高達750MB/s*的高速順序寫入性能，僅需3.6秒就可下載一部長達2小時的電影 。 
< 西部數據iNAND MC EU511 嵌入式閃存盤 > 5G的標準模式可為所有的移動和終端設備帶來快傳輸、低延遲、低功耗和高網絡容量等優勢。 實現這些功能需要高速數據接口，如UFS 3.0，不僅可以改造智能手機，還可以改造數十億互聯物聯網( IoT )設備。 西部數據公司Devices事業部高級總監Oded Sagee表示：“智能手機正在日益成為萬物互聯的中心。高速5G網絡旨在實現比之前快100倍的數據傳輸速度，并在更多的設備上部署人工智能(AI)。人工智能（AI）由集成式神經處理單元(NPU)所驅動，允許我們訪問大數據和快速數據，這將改變我們使用智能手機的方式。面對實時邊緣計算的高需求，嚴格的數據捕獲標準和訪問模式將成為5G設備必須滿足的基本條件。有了UFS 3.0嵌入式閃存盤，西部數據可以讓用戶按需、無縫、即時地體驗5G應用的新威力。” 5G移動設備可以借由UFS 3.0閃存接口，為增強現實(AR)、虛擬現實(VR)和移動游戲等應用提供更高的性能和更低的延遲。此外，快速的網絡將使消費者能夠在移動設備上快速下載和查看超高分辨率照片和4K/ 8K媒體資源。 通過iNAND MC EU511 嵌入式閃存盤為構建5G設備做好準備 iNAND MC EU511嵌入式閃存盤憑借快于上一代產品接近兩倍的順序讀性能以及高達750MB/s的高速順序寫入性能而領先于業界。隨著隨機讀/寫性能的提高以及容量從64GB到512GB的提升，iNAND MC EU511嵌入式閃存盤已為即將到來的5G革命做好了準備。目前西部數據公司正在與各OEM合作，送樣測試iNAND MC EU511 嵌入式閃存盤解決方案。欲了解有關更多相關信息，請訪問：Western Digital。 |
