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德州儀器（TI）在模擬和電源管理領域的領先地位毋庸置疑。如今，它已經不滿足于僅僅提供電源管理產品。它正在憑借兩種獨特技術試圖進入豐厚的功率MOSFET電源轉換市場。這兩種技術分別是NexFET芯片結構和DualCool散熱封裝。 NexFET結構 NexFET溝道技術TI通過收購一家稱作CICLON的半導體器件公司而獲得的。該公司名為NexFET的MOSFET技術可通過大幅減少柵極電荷提高功率管性能并優化尺寸。與通常的溝槽型MOSFET相比，NexFET功率MOSFET在相同的導通電阻下僅有一半的柵極電荷，因此頻率可以提高一倍，供電效率達到90%。NexFET功率MOSFET特別適合做為計算機、網絡和服務器系統的高功率電源。 TI中國區電源產品業務拓展工程師吳濤先生解釋了幾種MOSFET構造及各自的優缺點。如下圖所示，左側的是平面構造，中間的是溝槽構造，右邊的是NexFET。 
平面構造因為導通是在平面結構上，所以功率密度比較小，單位面積里可做的MOSFET管數有限，器件占位面積較大，柵極電荷、導通電阻等性能也比較中庸。溝槽結構把柵極往縱向發展，導電構造是垂直方向的，好處是可以把單位面積內MOSFET管的個數做得很多，這樣極大地提高了MOSFET管的密度。但是，因為柵極的接觸面積大，所以柵極充電電容很高。也就是說，在降低導通電阻的同時，這種工藝不可避免的造成柵極的驅動電荷很高。 NexFET是一種創新的技術，前兩種技術上做了一些改進。其導電渠道是橫向加上縱向，經過特殊處理，減小了縱向的導通電阻。同時，柵極區域縮小，所以才能夠把柵極充電電荷降低到非常小的程度。 DualCool封裝 下圖示出DualCool封裝（左）和常規封裝（右）的區別。
常規MOSFET封裝的上表面是一整塊塑料，而DualCool上面有一塊金屬的表層，該金屬表層能夠讓芯片的熱量直接從頂部散發出去，允許MOSFET比傳統封裝多提供80%的功率。圖中紅色的是晶圓，當電流從漏極流到源極的時候會有熱量散發出來。傳統封裝下，熱量主要是通過下面的金屬片和PC板的接觸提供散發，由于金屬管腳面積很小，所以熱阻比較大。在垂直方向，它也可以通過塑料封裝往上面的散熱片散熱，但因為這條路徑上塑料封裝，它的熱阻很大，不利于散熱。 而DualCool封裝的MOSFET通過頂部的金屬片降低了向上的熱阻，這樣芯片產生的熱量可以通過下表面傳到PCB板上去，也可以通過上表面的源極的金屬片傳遞到熱阻很小的額外的金屬片上面，再通過它傳遞到散熱片。 下圖是三種封裝結構下的結溫曲線對比，橫軸是功耗，縱軸是結溫。藍色曲線是wirebond，紅色曲線是copper clip，綠色的是DualCool。DualCool將節點到頂部的熱阻極大地降低，可以把熱阻從每瓦10度降低到每瓦1.2度，直接提高了MOSFET管耐損耗的能力。
本月，TI面向高電流DC/DC應用推出了業界第一個DualCool封裝的標準尺寸NexFET功率MOSFET。與傳統標準器件相比，其散熱效率提升80%，允許電流提高50%。該系列包含5款器件，允許計算機與電信系統使用具有擴充內存及更高電流的處理器，同時顯著節省板級空間。詳情請見http://m.qingdxww.cn/thread-7858-1-1.html |
