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鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一種使用鐵電文件作為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電容器的存儲(chǔ)器。即使斷電也能保留內(nèi)容。結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點(diǎn)，具有快速寫(xiě)入速度、低功耗和高讀/寫(xiě)周期耐久性。也稱(chēng)為FeRAM。FRAM鐵電存儲(chǔ)器是一款非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，具有寫(xiě)入速度快、讀/寫(xiě)耐久性高、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。 近日富士通半導(dǎo)體推出配備Quad SPI接口的8Mbit FRAM MB85RQ8MLX，其密度堪稱(chēng)Fujitsu SPI接口FRAM產(chǎn)品系列之最。 富士通MB85RQ8MLX是一款容量為8Mbit的非易失性鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品可在1.7V至1.95V的低電源電壓下工作。這種新的Quad SPI接口FRAM通過(guò)四個(gè)I/O引腳和108MHz的工作頻率實(shí)現(xiàn)了54MB/s的數(shù)據(jù)讀取/寫(xiě)入速度。它比運(yùn)行在50MHz的其他SPI接口FRAM產(chǎn)品快8倍以上，后者以6.25MB/s的速度傳輸數(shù)據(jù)。 這款新產(chǎn)品在高達(dá)105℃的高溫環(huán)境中以最高108MHz的工作頻率實(shí)現(xiàn)了每秒54MB的快速數(shù)據(jù)傳輸速率，同時(shí)具有高速運(yùn)行和非易失性，非常適合高性能計(jì)算(HPC)、數(shù)據(jù)中心和工業(yè)計(jì)算，如可編程邏輯控制器(PLC)、人機(jī)界面(HMI)和RAID控制器。 MB85RQ8MLX將工作溫度范圍的上限從一般產(chǎn)品的85℃擴(kuò)展到了105℃，在工業(yè)計(jì)算中，由于高速數(shù)據(jù)處理導(dǎo)致計(jì)算單元中的環(huán)境溫度升高，因此需要保證電子元件在高溫環(huán)境中運(yùn)行。MB85RQ8MLX滿(mǎn)足了工業(yè)使用中的關(guān)鍵要求。 鐵電存儲(chǔ)器FRAMMB85RQ8MLX不需要任何數(shù)據(jù)備份電池，并為使用低功耗SRAM作為緩沖器的客戶(hù)帶來(lái)無(wú)需電池的計(jì)算成本優(yōu)勢(shì)。 富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案專(zhuān)注于高品質(zhì)和高可靠性的非易失性存儲(chǔ)器，如鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (FRAM) 和電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (ReRAM)。這是一種高質(zhì)量和高可靠性的非易失性存儲(chǔ)器。即使在電源關(guān)閉時(shí)也能保留存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，并且可以隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)。FRAM具有獨(dú)特的功能，包括更高的寫(xiě)入速度、更大的讀/寫(xiě)循環(huán)耐久性和更低的功耗。FRAM用于廣泛的應(yīng)用，例如IC卡、RFID標(biāo)簽. |
