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三星正在改善1Gb MRAM壽命問題 2020-03-25
據(jù)報(bào)道三星已經(jīng)成功研發(fā)出有望替代嵌入式閃存存儲器(eFlash)的嵌入式磁阻隨機(jī)訪問內(nèi)存(eMRAM),容量為1Gb,測試芯片的優(yōu)良率已達(dá)90%。 隨著5G物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代 ...
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到2029年MRAM收入將增長170倍 2020-01-16
一份新市場報(bào)告預(yù)計(jì),從2018年到2029年,獨(dú)立 MRAM 和STT-MRAM的收入將增長170倍,達(dá)到近40億美元的收入。下一代內(nèi)存技術(shù)的增長將主要由取代效率較低的內(nèi)存技 ...
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基于意法半導(dǎo)體MCU STM32的底層配置 2020-01-15
本文通過介紹 意法半導(dǎo)體MCU STM32主要的底層配置,通過關(guān)鍵步驟的程序源代碼的介紹,闡述實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸?shù)募?xì)節(jié)以及注意事項(xiàng)。該方法對其他項(xiàng)目或芯片有一定的實(shí) ...
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