據(jù)報(bào)道三星已經(jīng)成功研發(fā)出有望替代嵌入式閃存存儲(chǔ)器（eFlash）的嵌入式磁阻隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)內(nèi)存（eMRAM），容量為1Gb，測(cè)試芯片的優(yōu)良率已達(dá)90%。

隨著5G物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來(lái)臨，存儲(chǔ)器領(lǐng)域發(fā)展快速，而在這一領(lǐng)域，韓系廠(chǎng)商擁有著比較明顯的優(yōu)勢(shì)。

MRAM芯片是一種以電阻為存儲(chǔ)方式結(jié)合非易失性及隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)兩種特性，可以兼做內(nèi)存以及硬盤(pán)的新型存儲(chǔ)器介質(zhì)。寫(xiě)入速度可達(dá)到NAND閃存的數(shù)千倍，此外其制作工藝要求低，產(chǎn)品良品率高，可以很好的控制成本。在壽命方面由于MRAM特殊的存儲(chǔ)方式，產(chǎn)品的壽命耐久性也遠(yuǎn)遠(yuǎn)超傳統(tǒng)RAM。

報(bào)道稱(chēng)三星也正在改善1Gb MRAM壽命問(wèn)題，除了支持長(zhǎng)達(dá)10年的存儲(chǔ)年限之外，在105℃的溫度也可完成1億次讀寫(xiě)，在85℃下則可增加至100億次讀寫(xiě)，在正常工作環(huán)境中，則有望達(dá)到1兆次讀寫(xiě)。目前以MRAM為代表的新型存儲(chǔ)已經(jīng)發(fā)展到了關(guān)鍵階段，是否能成為取代NAND閃存的下一代存儲(chǔ)器介質(zhì)除了材料和工藝的不斷的完善之外，構(gòu)建完善器件的技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)同樣是十分關(guān)鍵的。相信在市場(chǎng)需求的引導(dǎo)以及各大廠(chǎng)商的推動(dòng)下，存儲(chǔ)產(chǎn)品一定朝著性能更高以及容量更大以及成本更優(yōu)的方向發(fā)展。

致力于生產(chǎn)MRAM存儲(chǔ)器的EVERSPIN在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的。Everspin擁有超過(guò)600項(xiàng)有效專(zhuān)利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開(kāi)發(fā)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。 Everspin在數(shù)據(jù)中心在汽車(chē)和運(yùn)輸市場(chǎng)中部署了超過(guò)1.2億個(gè)MRAM和STT-MRAM的產(chǎn)品，為全球MRAM用戶(hù)奠定了最強(qiáng)大，增長(zhǎng)最快的基礎(chǔ)。