據(jù)報道三星已經(jīng)成功研發(fā)出有望替代嵌入式閃存存儲器（eFlash）的嵌入式磁阻隨機訪問內(nèi)存（eMRAM），容量為1Gb，測試芯片的優(yōu)良率已達90%。

隨著5G物聯(lián)網(wǎng)時代的來臨，存儲器領(lǐng)域發(fā)展快速，而在這一領(lǐng)域，韓系廠商擁有著比較明顯的優(yōu)勢。

MRAM芯片是一種以電阻為存儲方式結(jié)合非易失性及隨機訪問兩種特性，可以兼做內(nèi)存以及硬盤的新型存儲器介質(zhì)。寫入速度可達到NAND閃存的數(shù)千倍，此外其制作工藝要求低，產(chǎn)品良品率高，可以很好的控制成本。在壽命方面由于MRAM特殊的存儲方式，產(chǎn)品的壽命耐久性也遠遠超傳統(tǒng)RAM。

報道稱三星也正在改善1Gb MRAM壽命問題，除了支持長達10年的存儲年限之外，在105℃的溫度也可完成1億次讀寫，在85℃下則可增加至100億次讀寫，在正常工作環(huán)境中，則有望達到1兆次讀寫。目前以MRAM為代表的新型存儲已經(jīng)發(fā)展到了關(guān)鍵階段，是否能成為取代NAND閃存的下一代存儲器介質(zhì)除了材料和工藝的不斷的完善之外，構(gòu)建完善器件的技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)同樣是十分關(guān)鍵的。相信在市場需求的引導(dǎo)以及各大廠商的推動下，存儲產(chǎn)品一定朝著性能更高以及容量更大以及成本更優(yōu)的方向發(fā)展。

致力于生產(chǎn)MRAM存儲器的EVERSPIN在磁存儲器設(shè)計，制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領(lǐng)先地位。 Everspin在數(shù)據(jù)中心在汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM的產(chǎn)品，為全球MRAM用戶奠定了最強大，增長最快的基礎(chǔ)。