太空應用是英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的一個重要領域。英飛凌的產品被用于衛星、火星探測器儀器、太空望遠鏡等，即便在極端惡劣的條件下，這些應用也必須具備出色的可靠性。全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌近日推出業界首款抗輻射（rad hard）1 Mb和2 Mb并行接口鐵電RAM（F-RAM）非易失性存儲器。這款存儲器是英飛凌豐富存儲器產品組合中的新成員，其特點是具有出色的可靠性和耐用性，在85攝氏度條件下的數據保存期長達 120 年，并且能以總線速度進行隨機存取和全存儲器寫入。
1 Mb F-RAM
2 Mb F-RAM 英飛凌F-RAM存儲器具有固有的抗輻射性能，該技術非常適合滿足太空應用不斷發展的任務要求，而這些應用歷來使用的是速度較慢、不太堅固的EEPROM非易失性存儲器。與同類產品相比，英飛凌產品的特點包括：更快的存儲器隨機存取速度；通過采用即時非易失性寫入技術提高數據安全性；低功耗、極低的編程電壓（低至2V）以及20 mA最大工作電流。 英飛凌科技航空航天與國防業務副總裁兼研究員Helmut Puchner表示：“隨著越來越多的太空應用被設計成在系統端處理數據，而不是通過遙測技術將數據傳輸到地面進行處理，因此對高可靠性非易失性存儲器的需求會不斷增加，以配合太空級處理器與FPGA實現數據記錄應用。英飛凌于2022年在該市場推出了首款SPI F-RAM存儲器。此次推出并行接口存儲器體現了我們致力于為新一代太空需求提供一流的、高度可靠且靈活的解決方案。” 英飛凌抗輻射F-RAM存儲器的目標應用包括傳感器與儀器的數據存儲、校準數據的數據記錄、適用于數據加密的安全密鑰存儲，以及啟動代碼存儲等。除外太空應用，這款存儲器還適用于航空電子等應用的溫度要求（-55°C 至 125°C）。 與SPI版本一樣，英飛凌新推出的并行接口F-RAM存儲器通過其化學成分獲得了出色的非易失性存儲器特性，例如用原子態瞬時切換取代了EEPROM技術中的捕獲電荷至程序位。F-RAM本身不受軟錯誤、磁場或輻射效應影響，且無需軟件來管理頁面邊界。其接近無限的耐用性（1013個寫入周期）意味著不需要損耗均衡。 該并行存儲器采用44引線陶瓷TSOP封裝并且通過QML-V認證，具有出色的抗輻射性能： – TID：>150 Krad（硅） – SEL：>96 MeV·cm 2/mg @115°C – SEU：免疫 – SEFI：<1.34 * 10-4 每日誤差/偏差（激活/待機）/免疫（睡眠模式） 供貨情況 抗輻射F-RAM非易失性存儲器產品組合現已全面上市，包括2 Mb SPI存儲器以及1 Mb和2 Mb并行存儲器。了解更多信息，敬請訪問 www.infineon.com/1and2MbFRAM。 |
