<abbr id="imoms"></abbr>

<ul id="imoms"></ul>

<fieldset id="imoms"></fieldset>

熱門關鍵詞：Xilinx 電容器 Cortex-M0 收發器 VHDL

并口FRAM與SRAM的比較

發布時間：2022-3-18 15:50 發布者：英尚微電子

關鍵詞： FRAM , SRAM

鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器相比，FRAM不需要備用電池來保留數據，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進行并口FRAM與SRAM的比較。

并口FRAM vs SRAM

具有并行接口的FRAM與電池備用SRAM兼容，可以替代SRAM。通過用FRAM代替SRAM，客戶可以期望以下優勢。

1、降低總成本

使用SRAM的系統需要持續檢查電池狀態。如果用FRAM替換后，客戶可以從維護電池檢查的負擔中解放出來。此外，FRAM不需要電池插座和防回流二極管，同時省去二者的安裝空間。FRAM的單一芯片解決方案可以減少空間和成本。
免維護：無需更換電池
設備小型化：可以減少最終產品的元器件數量

2、環保產品

廢舊電池會成為工業廢料。通過用FRAM替換SRAM +電池，可以減少備用電池。
減少電池處理

本文地址：http://m.qingdxww.cn/thread-785496-1-1.html 【打印本頁】

本站部分文章為轉載或網友發布，目的在于傳遞和分享信息，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責；文章版權歸原作者及原出處所有，如涉及作品內容、版權和其它問題，我們將根據著作權人的要求，第一時間更正或刪除。