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鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器FRAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的內(nèi)存，即便在沒有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM主要結(jié)合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫入數(shù)據(jù)、低功耗和高速讀/寫周期的優(yōu)點(diǎn)。非易失性內(nèi)存是苛刻環(huán)境下具備高可靠性的汽車和工業(yè)應(yīng)用的理想之選。 富士通去年發(fā)布的2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽車和工業(yè)設(shè)備中獲得廣泛應(yīng)用，而MB85RS4MTY將其容量提高至4M bit，滿足用戶對(duì)更高容量的需求，配有SPI接口，工作電壓為1.8V至3.6V。 富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號(hào)為MB85RS4MTY的4Mbit FRAM，其容量達(dá)到FRAM產(chǎn)品最高水平，運(yùn)作溫度最高可達(dá)125℃。目前可為客戶提供評(píng)測(cè)版樣品。 這款FRAM產(chǎn)品采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)8-pin SOP封裝，可輕松取代現(xiàn)有類似引腳的EEPROM。還提供8-pin DFN（無引線雙側(cè)扁平）封裝。 圖1：MB85RS4MTY 8-pin DFN（頂部・底部） 關(guān)鍵規(guī)格 組件型號(hào)：MB85RS4MT 容量（組態(tài)）：4Mbit（512Kx8位） 接口：SPI（Serial Peripheral Interface） 運(yùn)作頻率：最高50MHz 運(yùn)作電壓：1.8V-3.6V 運(yùn)作溫度范圍：-40°C-+125°C 讀/寫耐久性：10兆次（1013次） 封裝規(guī)格：8-pin DFN，8-pin SOP 這款全新富士通鐵電RAM是非易失性內(nèi)存產(chǎn)品，高溫125℃的環(huán)境下可以達(dá)到10兆次讀/寫次數(shù)，工作電流低，是工業(yè)機(jī)器人和高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）等汽車應(yīng)用的最佳選擇。 由于這款FRAM存儲(chǔ)器工作電流低，即使在125℃高溫下，最大工作電流僅為4mA（運(yùn)作頻率50MHz），最大掉電模式電流為30μA，因此有助于降低環(huán)境敏感應(yīng)用的功耗。 這款全新FRAM在-40℃至+125℃溫度范圍內(nèi)可以達(dá)到10兆次讀/寫次數(shù)，適合某些需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用。例如每0.03毫秒重寫一次數(shù)據(jù)，同一地址連續(xù)記錄數(shù)據(jù)可達(dá)10年之久。 圖2：FRAM應(yīng)用例子 FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，并已量產(chǎn)20多年，近年來廣泛用于可穿戴設(shè)備、工業(yè)機(jī)器人和無人機(jī)。 富士通Serial FeRAM
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