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作為全球頭號(hào)代工廠，臺(tái)積電的新工藝正在一路狂奔，7nm EUV極紫外光刻工藝已經(jīng)完成首次流片，5nm工藝也將在2019年4月開(kāi)始試產(chǎn)。 不過(guò)眾所周知，半導(dǎo)體工藝是一項(xiàng)集大成的高精密科技，新工藝也并非臺(tái)積電自己完全搞定，而是依賴整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的設(shè)備和技術(shù)供應(yīng)，比如大家比較熟悉的光刻機(jī)，就普遍來(lái)自荷蘭ASML。 據(jù)了解，在臺(tái)積電的5nm生產(chǎn)線中，就將有來(lái)自深圳中微半導(dǎo)體的5nm等離子體蝕刻機(jī)，自主研發(fā)，近日已經(jīng)通過(guò)了臺(tái)積電的驗(yàn)證。 中微半導(dǎo)體與臺(tái)積電在28nm工藝世代就已經(jīng)有合作，10nm、7nm工藝也一直延續(xù)下來(lái)，如今又順利挺進(jìn)最先進(jìn)的5nm。 據(jù)介紹，等離子體刻蝕機(jī)是芯片制造中的一種關(guān)鍵設(shè)備，用來(lái)在芯片上進(jìn)行微觀雕刻，每個(gè)線條和深孔的加工精度都是頭發(fā)絲直徑的幾千分之一到上萬(wàn)分之一，精度控制要求非常高。 比如，16nm工藝的微觀邏輯器件有60多層微觀結(jié)構(gòu)，要經(jīng)過(guò)1000多個(gè)工藝步驟，攻克上萬(wàn)個(gè)技術(shù)細(xì)節(jié)才能加工出來(lái)。 中微半導(dǎo)體CEO尹志堯形容說(shuō)：“在米粒上刻字的微雕技藝上，一般能刻200個(gè)字已經(jīng)是極限，而我們的等離子刻蝕機(jī)在芯片上的加工工藝，相當(dāng)于可以在米粒上刻10億個(gè)字的水平。” 長(zhǎng)期以來(lái)，蝕刻機(jī)的核心技術(shù)一直被國(guó)外廠商壟斷，而中微半導(dǎo)體從65nm等離子介質(zhì)蝕刻機(jī)開(kāi)始，45nm、32nm、28nm、16nm、10nm一路走下來(lái)，7nm蝕刻機(jī)也已經(jīng)運(yùn)行在客戶的生產(chǎn)線上，5nm蝕刻機(jī)即將被臺(tái)積電采用。 不過(guò)要特別注意，中微半導(dǎo)體搞定5nm蝕刻機(jī)，完全不等于就可以生產(chǎn)5nm芯片了，因?yàn)槲g刻只是眾多工藝環(huán)節(jié)中的一個(gè)而已。 整體而言，我國(guó)半導(dǎo)體制造技術(shù)還差距非常大，尤其是光刻機(jī)，最好的上海微電子也只是做到了90nm的國(guó)產(chǎn)化。 當(dāng)然在另一個(gè)方面，我國(guó)的半導(dǎo)體技術(shù)也在不同層面奮起直追，不斷縮小差距，比如依然很先進(jìn)的14nm工藝，在14nm 領(lǐng)域，北方華創(chuàng)的硅/金屬蝕刻機(jī)、北方華創(chuàng)的薄膜沉積設(shè)備、北方華創(chuàng)的單片退火設(shè)備、上海盛美的清洗設(shè)備，都已經(jīng)開(kāi)發(fā)成功，正在進(jìn)行驗(yàn)證。 假以時(shí)日，中國(guó)芯片必將屹立世界之巔。 來(lái)源：快科技 |
