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據工業和信息化部發布的最新消息，上海微電子裝備（集團）股份有限公司已成功提交了一項名為“極紫外輻射發生裝置及光刻設備”的發明專利申請（申請號：CN202310226636.7）。該專利針對當前極紫外（EUV）光刻技術中的關鍵挑戰，提出了一種創新性的解決方案，旨在高效且簡便地收集光刻過程中產生的帶電粒子，以提高光刻設備中關鍵部件——收集器鏡的使用壽命。 光刻機被譽為“芯片之母”，是集成電路制造中最為關鍵的設備之一。此次專利申請的核心技術，正是針對光刻機中極紫外光源系統的優化與創新。通過巧妙設計，利用電場約束帶電粒子的運動軌跡，該技術能夠高效收集并處理光刻過程中產生的有害帶電粒子，如錫碎屑等，從而延長收集器鏡的使用壽命，并顯著提升光刻設備的整體性能和穩定性。 值得注意的是，該專利的提出不僅解決了極紫外光刻設備中的一大技術難題，更標志著中國在7納米芯片光刻技術領域取得了重要進展。工信部此前發布的《首臺(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024年版)》中，明確列出了氟化氬光刻機，并對其技術參數提出了具體要求，包括光源為193納米、分辨率不大于65納米、套刻精度不大于8納米等。這一指標的提出，彰顯了我國在半導體制造領域追求技術突破的決心和實力。 隨著此次專利申請的提交，中國半導體行業在7納米芯片光刻技術上的突破得到了進一步確認。這不僅意味著我國在該領域已經具備了自主研發和量產能力，也為未來實現更高精度、更高性能的芯片制造奠定了堅實基礎。 據了解，上海微電子裝備（集團）股份有限公司作為該專利的申請者，其核心團隊由多位資深科學家和工程師組成，他們在光刻技術領域積累了豐富的經驗和深厚的技術底蘊。此次專利申請的成功，是公司長期以來堅持自主創新、不斷突破技術瓶頸的結果，也是中國半導體行業集體智慧的結晶。 |
