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近日，美國商務部宣布了一項重大投資計劃，擬斥資8.25億美元（約合人民幣58.75億元）支持紐約州EUV光刻旗艦研發站點的建設。 據悉，該研發站點將命名為“EUV加速器”，并選址于紐約州立大學奧爾巴尼納米技術中心。該站點將重點推進最先進的EUV（極紫外）光刻技術及相關研發工作，預計將于2025年開始運營。在運營初期，站點將引入0.33NA EUV光刻機，并在次年引入更為先進的High NA EUV光刻機。 美國商務部在聲明中表示，此次投資旨在加強美國在半導體技術研發領域的領先地位，確保國家安全和經濟競爭力。通過建設“EUV加速器”研發站點，美國將能夠吸引更多的產業界、學術界和政府合作伙伴，共同推動半導體技術的創新與發展。 紐約州州長對此表示熱烈歡迎和支持，認為這一投資將為紐約州帶來顯著的經濟效益和就業機會。他強調，紐約州一直致力于打造全球領先的半導體技術研發和生產基地，此次投資將進一步鞏固該州的領先地位，并推動相關產業的快速發展。 |
