ZT: 華虹NEC兩項(xiàng)新技術(shù)榮獲創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎(jiǎng)

步從容

2010/4/15/10:19來(lái)源：電子工程專(zhuān)輯

    2010年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)年會(huì)于2010年3月9日至10日在上海召開(kāi)。大會(huì)公布了由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)電子專(zhuān)用設(shè)備
工業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)電子報(bào)等單位共同評(píng)選出的“第四屆（2009年度）中國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)”獲獎(jiǎng)結(jié)果，上海華虹NEC電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“華虹NEC”）的“0.13微米SONOS嵌入式存儲(chǔ)器工藝技術(shù)”和“芯片超級(jí)同測(cè)技術(shù)（SCT）”兩個(gè)項(xiàng)目分獲殊榮。

華虹NEC的0.13微米SONOS嵌入式存儲(chǔ)器工藝技術(shù)具有低動(dòng)態(tài)電流，極低靜態(tài)電流，存儲(chǔ)單元小，容量可配置，讀出速度快等優(yōu)良性能。達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的可靠性擦寫(xiě)壽命和數(shù)據(jù)保持時(shí)間。目前該技術(shù)平臺(tái)擁有各種容量的嵌入式閃存IP，齊全的模擬IP，高速靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和低功耗設(shè)計(jì)庫(kù)，高性能的IO單元以及完善的產(chǎn)品和測(cè)試方案，可廣泛應(yīng)用于智能卡、MCU/SOC以及USBKey等產(chǎn)品。

華虹NEC成功地研發(fā)出世界領(lǐng)先的芯片同測(cè)數(shù)最高可達(dá)512的“超級(jí)同測(cè)技術(shù)(SCT，SuperConcurrentTesting)”。此技術(shù)的研發(fā)成功，有效地降低了晶圓測(cè)試成本，提升了測(cè)試效率和產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力，實(shí)現(xiàn)了最高可達(dá)較原有技術(shù)平臺(tái)的八倍測(cè)試效率，并可支持芯片高集成的晶圓測(cè)試，成為當(dāng)今世界領(lǐng)先的測(cè)試技術(shù)平臺(tái)。此測(cè)試平臺(tái)現(xiàn)已成功應(yīng)用，作為華虹NEC制造服務(wù)的拓展。此創(chuàng)新技術(shù)為國(guó)內(nèi)主要集成電路設(shè)計(jì)公司的自主產(chǎn)品（智能卡、USBKey、可編程MCU等）提供了最優(yōu)化的測(cè)試方案。

華虹NEC總裁兼首席執(zhí)行官邱慈云博士表示，“我們十分榮幸在中國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)評(píng)選中榮獲兩個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)，這是華虹NEC持續(xù)創(chuàng)新的結(jié)果。華虹NEC一直保持著嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)先地位，也是中國(guó)智能卡與SIM卡芯片的最主要的制造商。本次獲獎(jiǎng)的兩個(gè)項(xiàng)目正是華虹NEC過(guò)去幾年來(lái)在嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器領(lǐng)域的最新成果，為下一代智能卡芯片提供了極具競(jìng)爭(zhēng)力的全套工藝、設(shè)計(jì)支持與量產(chǎn)測(cè)試解決方案。”