電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢并進(jìn)一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產(chǎn)品系列。
CoolSiC MOSFET 650 V G2 Q-DPAK TSC 這兩個產(chǎn)品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC Generation 2（G2） 技術(shù)，其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關(guān)模式電源（SMPS）開發(fā)，包括AI服務(wù)器、可再生能源、充電樁、電動交通工具和人形機(jī)器人、電視機(jī)、驅(qū)動器以及固態(tài)斷路器。 TOLL封裝具有出色的板載熱循環(huán)（TCoB）能力，可通過減少印刷電路板（PCB）占板面積實(shí)現(xiàn)緊湊的系統(tǒng)設(shè)計。在用于SMPS時，它還能減少系統(tǒng)級制造成本。TOLL封裝現(xiàn)在適用于更多目標(biāo)應(yīng)用，使PCB設(shè)計者能夠進(jìn)一步降低成本并更好地滿足市場需求。 Q-DPAK封裝的推出補(bǔ)充了英飛凌正在開發(fā)的新型頂部冷卻（TSC）產(chǎn)品，包括CoolMOS 8、CoolSiC、CoolGaN和OptiMOS。TSC產(chǎn)品使客戶能夠以低成本實(shí)現(xiàn)出色的穩(wěn)健性以及更大的功率密度和系統(tǒng)效率，還能將直接散熱率提高至95%，通過實(shí)現(xiàn)PCB的雙面使用更好地管理空間和減少寄生效應(yīng)。 供貨情況 采用TOLL和Q-DPAK封裝的CoolSiC MOSFET 650 V G2現(xiàn)已上市，前者的RDS(on)值為10至60 mΩ，后者的RDS(on)值為 7、10、15 和 20 mΩ。更多信息，請?jiān)L問www.infineon.com/coolsic-g2。 |
