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來源：快科技 據媒體報道，美國賓夕法尼亞大學的研究團隊近日成功開發了一款全新耐高溫存儲設備，該設備能在高達600℃的極端環境下穩定運行，確保存儲的數據安全無虞。 這款耐高溫存儲設備的核心在于其獨特的制造材料——氮化鋁鈧（AIScN）。據研究團隊成員Deep Jariwala介紹，氮化鋁鈧具有出色的化學穩定性，其強大的化學鍵能在高溫下保持結構的完整性和功能性，這使得該設備在面對高溫挑戰時展現出超凡的耐用性。 設備的內部結構采用了“金屬-絕緣體-金屬”的經典設計，其中，一層45nm厚的氮化鋁鈧（AIScN）作為絕緣層，巧妙地將金屬鎳電極和金屬鉑電極結合在一起，這層氮化鋁鈧的厚度是設備成功的關鍵。 Jariwala解釋說：“氮化鋁鈧的厚度需經過精心控制，太薄會導致材料在高溫下過于活躍而退化，而太厚則會削弱其鐵電開關性能，進而影響設備的工作效率�！� 這項技術不僅是對材料科學的突破，更是對當前芯片架構設計的一次重大革新。Jariwala指出，傳統的芯片架構中，中央處理器和內存是分離的，這導致了數據傳輸的延遲和效率低下。 尤其在處理大數據的AI應用程序中，這種缺陷更為明顯。而這款耐高溫存儲設備通過允許內存和處理器更緊密地集成在一起，極大地縮短了數據傳輸時間，從而提升了計算速度、復雜性和效率。這種設計理念被研發團隊稱為“內存增強計算”。 展望未來，這款耐高溫存儲設備有望在AI系統建設中發揮重要作用。其卓越的耐高溫性能和高效的計算效率，將有助于提高AI系統的運行穩定性和計算效率，為人工智能領域的發展注入新的活力。 
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