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美國商務部于12月13日正式宣布，已與德國知名汽車零部件供應商博世（Bosch）達成初步協議。根據該協議，美國商務部將向博世提供最高達2.25億美元的補貼，以支持其在加利福尼亞州生產碳化硅（SiC）功率半導體。 此次補貼旨在促進博世在加州羅斯維爾市（Roseville）投資19億美元的項目，該項目將對其現有的制造工廠進行改造和升級，專注于生產碳化硅功率半導體。碳化硅芯片作為一種新型半導體材料，具有出色的能效和高溫穩定性，對電動車、電信以及國防產業等領域具有重大意義。 根據協議內容，博世將利用這筆補貼資金，加快其碳化硅功率半導體廠的興建和運營計劃。此外，美國商務部還提議為博世提供約3.5億美元的政府貸款，以進一步支持這一重要項目的實施。 博世北美總裁Paul Thomas在聲明中表示：“這筆羅斯維爾投資案，讓博世能夠在本地生產碳化硅芯片，從而在電氣化之路上，更好地支持美國消費者。”他強調，碳化硅芯片的應用將顯著提升電動車的駕駛與充電效率，助力美國電動汽車產業的發展。 美國商務部表示，碳化硅芯片的耗能較少，對提高電動車的能效至關重要。博世在加州新建的半導體廠，預計將在2026年開始以200毫米（8英寸）晶圓生產芯片。該工廠在產能全開時，將占據全美碳化硅芯片制造產能超過40%的比重，對提升美國在全球半導體產業中的地位具有重要意義。 |
