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來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察整理 據(jù)尼康官方消息顯示，尼康宣布將于2024年1月起發(fā)布ArF浸沒(méi)式掃描儀NSR-S636E，作為關(guān)鍵層的曝光系統(tǒng)，該系統(tǒng)具有更高生產(chǎn)率，并具有高水平的套印精度和吞吐量。 尼康在介紹中表示，隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速，能夠更快地處理和傳輸大量數(shù)據(jù)的高性能半導(dǎo)體變得越來(lái)越重要。領(lǐng)先半導(dǎo)體性能的技術(shù)創(chuàng)新的關(guān)鍵推動(dòng)因素是電路圖案小型化和 3D 半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，而 ArF 浸沒(méi)式掃描儀對(duì)于這兩種制造工藝都至關(guān)重要。與傳統(tǒng)半導(dǎo)體相比，3D半導(dǎo)體制造過(guò)程中更容易發(fā)生晶圓翹曲和變形，因此需要比以往更先進(jìn)的掃描儀校正和補(bǔ)償功能。 據(jù)介紹，NSR-S636E是一款用于關(guān)鍵層的浸潤(rùn)式光刻機(jī)。尼康聲稱，它較以往更高的精度測(cè)量晶圓翹曲、扭曲和其他變形，并實(shí)現(xiàn)了高重疊精度（MMO ≤ 2.1 nm）。NSR-S636E ArF 浸沒(méi)式掃描儀采用增強(qiáng)型 iAS，可在曝光前執(zhí)行復(fù)雜的晶圓多點(diǎn)測(cè)量。該創(chuàng)新系統(tǒng)利用高精度測(cè)量和廣泛的晶圓翹曲和畸變校正功能，實(shí)現(xiàn)了高重疊精度（MMO ≤ 2.1 nm）。此外，吞吐量已增加至每小時(shí)280發(fā)，并且通過(guò)減少停機(jī)時(shí)間，與當(dāng)前型號(hào)相比，整體生產(chǎn)率提高了10-15%，已達(dá)到該司半導(dǎo)體光刻設(shè)備中最高的生產(chǎn)率水平。 此外，尼康表示，曝光設(shè)備在不犧牲生產(chǎn)率的情況下，在需要高重疊精度的半導(dǎo)體制造工藝中具有優(yōu)異的性能，例如三維半導(dǎo)體，作為提高半導(dǎo)體性能的方法，這些工藝正在進(jìn)一步進(jìn)行技術(shù)開(kāi)發(fā)。該公司表示，將針對(duì)半先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)器以及CMOS圖像傳感器和3D NAND等三維半導(dǎo)體的多樣化需求提出最佳解決方案。 光刻機(jī)格局：三分天下 光刻機(jī)是半導(dǎo)體制造的核心，用于將電子電路蝕刻在基板上。目前，ASML、尼康、佳能三家占據(jù)了絕大部分的市場(chǎng)股份。在1990年代之前，尼康和佳能曾在光刻機(jī)市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)，隨后ASML在最尖端的極紫外(EUV)設(shè)備的開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)中實(shí)現(xiàn)趕超，隨著極紫外光刻機(jī)在2010年后半期實(shí)用化，ASML逐漸占據(jù)光刻機(jī)市場(chǎng)主導(dǎo)地位。 作為重回市場(chǎng)的策略之一，尼康表示將于2024年夏季推出采用成熟技術(shù)的光刻機(jī)新產(chǎn)品。使用了1990年代初實(shí)用化、被稱為“i線”的老一代光源技術(shù)。著眼于適合制造需要耐久性的功率半導(dǎo)體等的特點(diǎn)。市場(chǎng)觀點(diǎn)人文，尼康將使用通用的電子零部件等，價(jià)格能比佳能便宜2～3成左右。 而佳能則聲稱可研發(fā)新的EUV光刻機(jī)替代方案，這一觀點(diǎn)也引發(fā)了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)注。據(jù)悉，佳能EUV光刻機(jī)替代方案采用了全新的光學(xué)系統(tǒng)和制造工藝，可以在不使用EUV光刻機(jī)的情況下，實(shí)現(xiàn)高精度的芯片制造。這一突破性的技術(shù)進(jìn)步為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了新的選擇和希望。 |
