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來源：全球半導體觀察整理 據尼康官方消息顯示，尼康宣布將于2024年1月起發布ArF浸沒式掃描儀NSR-S636E，作為關鍵層的曝光系統，該系統具有更高生產率，并具有高水平的套印精度和吞吐量。 尼康在介紹中表示，隨著數字化轉型的加速，能夠更快地處理和傳輸大量數據的高性能半導體變得越來越重要。領先半導體性能的技術創新的關鍵推動因素是電路圖案小型化和 3D 半導體器件結構，而 ArF 浸沒式掃描儀對于這兩種制造工藝都至關重要。與傳統半導體相比，3D半導體制造過程中更容易發生晶圓翹曲和變形，因此需要比以往更先進的掃描儀校正和補償功能。 據介紹，NSR-S636E是一款用于關鍵層的浸潤式光刻機。尼康聲稱，它較以往更高的精度測量晶圓翹曲、扭曲和其他變形，并實現了高重疊精度（MMO ≤ 2.1 nm）。NSR-S636E ArF 浸沒式掃描儀采用增強型 iAS，可在曝光前執行復雜的晶圓多點測量。該創新系統利用高精度測量和廣泛的晶圓翹曲和畸變校正功能，實現了高重疊精度（MMO ≤ 2.1 nm）。此外，吞吐量已增加至每小時280發，并且通過減少停機時間，與當前型號相比，整體生產率提高了10-15%，已達到該司半導體光刻設備中最高的生產率水平。 此外，尼康表示，曝光設備在不犧牲生產率的情況下，在需要高重疊精度的半導體制造工藝中具有優異的性能，例如三維半導體，作為提高半導體性能的方法，這些工藝正在進一步進行技術開發。該公司表示，將針對半先進邏輯和存儲器以及CMOS圖像傳感器和3D NAND等三維半導體的多樣化需求提出最佳解決方案。 光刻機格局：三分天下 光刻機是半導體制造的核心，用于將電子電路蝕刻在基板上。目前，ASML、尼康、佳能三家占據了絕大部分的市場股份。在1990年代之前，尼康和佳能曾在光刻機市場占據主導，隨后ASML在最尖端的極紫外(EUV)設備的開發競爭中實現趕超，隨著極紫外光刻機在2010年后半期實用化，ASML逐漸占據光刻機市場主導地位。 作為重回市場的策略之一，尼康表示將于2024年夏季推出采用成熟技術的光刻機新產品。使用了1990年代初實用化、被稱為“i線”的老一代光源技術。著眼于適合制造需要耐久性的功率半導體等的特點。市場觀點人文，尼康將使用通用的電子零部件等，價格能比佳能便宜2～3成左右。 而佳能則聲稱可研發新的EUV光刻機替代方案，這一觀點也引發了全球半導體產業的關注。據悉，佳能EUV光刻機替代方案采用了全新的光學系統和制造工藝，可以在不使用EUV光刻機的情況下，實現高精度的芯片制造。這一突破性的技術進步為全球半導體產業帶來了新的選擇和希望。 |
