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近日，全球領先的影像與光學產品制造商佳能公司宣布，已成功向位于美國得克薩斯州的半導體聯盟得克薩斯電子研究所（TIE）交付了其最先進的納米壓印光刻（NIL）系統FPA-1200NZ2C。這一里程碑式的交付標志著納米壓印光刻技術在半導體制造領域邁出了重要一步，為未來的芯片生產開辟了新的可能性。 佳能此次交付的FPA-1200NZ2C納米壓印光刻機，是該公司與鎧俠（Kioxia）和大日本印刷公司合作開發的最新成果。該系統自去年10月推出以來，便以其獨特的納米壓印技術和卓越的性能表現，吸引了業界的廣泛關注。據佳能方面介紹，FPA-1200NZ2C能夠實現最小14納米的線寬圖案化，支持5納米制程邏輯半導體的生產，為芯片制造商提供了更為高效、精確的制造工具。 與傳統光刻機通過光學成像將電路圖案投影到晶圓上不同，佳能的納米壓印光刻技術采用物理手段，將已經設計好的電路圖案模板通過機械加壓直接“復印”到晶圓上的光刻膠中。這種“蓋印章”式的生產方式省去了復雜的光學曝光系統，不僅降低了設備成本，還顯著提高了生產效率。據佳能產品負責人透露，納米壓印光刻機的價格將比傳統的極紫外光（EUV）光刻機少一位數，且耗電量僅為后者的十分之一。 此次交付的FPA-1200NZ2C將被用于得克薩斯電子研究所的先進半導體研發和原型生產工作。該研究所由德克薩斯大學奧斯汀分校支持，成員包括英特爾、恩智浦、三星等全球領先的芯片公司，以及公共部門和學術組織。這些機構將共同利用這一先進設備，探索納米壓印光刻技術在半導體制造中的潛力和應用前景。 佳能光學產品副總裁巖本一典表示，公司對未來納米壓印光刻技術的發展充滿信心，并計劃在接下來的三到五年內，每年銷售約10到20臺此類設備。他強調，佳能將繼續加大研發投入，與全球合作伙伴緊密合作，共同推動納米壓印光刻技術的商業化進程，為全球半導體產業的進步貢獻力量。 盡管納米壓印光刻技術在成本和生產效率方面具有顯著優勢，但其在實際應用中仍面臨諸多挑戰。例如，如何有效防止塵埃顆粒對芯片制造的影響，以及如何開發出與納米壓印技術相兼容的材料等。佳能方面表示，將積極應對這些挑戰，與產業鏈上下游企業通力合作，共同推動納米壓印光刻技術的完善和發展。 |
