富士通FRAM技術(shù)和工作原理

英尚微電子

存儲(chǔ)設(shè)備（主要指存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品）通常分為兩種類(lèi)型。一種是“易失性存儲(chǔ)器”——數(shù)據(jù)在斷電時(shí)消失，如DRAM。另一種類(lèi)型則是“非易失性存儲(chǔ)器”——數(shù)據(jù)在斷電時(shí)不會(huì)消失，這意味著數(shù)據(jù)一旦被寫(xiě)入，只要不進(jìn)行擦除或重寫(xiě)，數(shù)據(jù)就不會(huì)改變。FRAM是一種與Flash相同的非易失性存儲(chǔ)器。

富士通FRAM技術(shù)和工作原理

FRAM是運(yùn)用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來(lái)進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)又可以像RAM一樣操作。

•當(dāng)一個(gè)電場(chǎng)被加到鐵電晶體時(shí)，中心離子順著電場(chǎng)的方向在晶體里移動(dòng)，當(dāng)離子移動(dòng)時(shí)，它通過(guò)一個(gè)能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內(nèi)部電路感應(yīng)到電荷擊穿并設(shè)置記憶體。

•移去電場(chǎng)后中心離子保持不動(dòng)，記憶體的狀態(tài)也得以保存。

•材料本身的遲滯特性的兩個(gè)穩(wěn)定點(diǎn)代表0或1的極化值。

FRAM的特點(diǎn)

獨(dú)特性能成就技術(shù)“硬核”，F(xiàn)RAM是存儲(chǔ)界的實(shí)力派。除非易失性以外，F(xiàn)RAM還具備三大主要優(yōu)勢(shì)：高讀寫(xiě)入耐久性、高速寫(xiě)入以及低功耗，這是絕大多數(shù)同類(lèi)型存儲(chǔ)器無(wú)法比擬的。

其中FRAM寫(xiě)入次數(shù)壽命高達(dá)10萬(wàn)億次、而EEPROM僅有百萬(wàn)次(10^6)。同時(shí)，F(xiàn)RAM寫(xiě)入數(shù)據(jù)可在150ns內(nèi)完成、速度約為EEPROM的1/30,000，寫(xiě)入一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)的功耗僅為150nJ、約為EEPROM的1/400，在電池供電應(yīng)用中具有無(wú)與倫比的優(yōu)勢(shì)。

富士通FRAM憑借高讀寫(xiě)耐久性、高速寫(xiě)入和超低功耗的獨(dú)特特質(zhì)，近年來(lái)在Kbit和Mbit級(jí)小規(guī)模數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域開(kāi)始風(fēng)生水起，在各種應(yīng)用領(lǐng)域頻頻“露臉”并大有斬獲，這就是鐵電存儲(chǔ)器FRAM。富士通代理英尚微電子可為客戶(hù)提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。

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學(xué)習(xí)了

英尚微電子

獨(dú)特性能成就技術(shù)“硬核”，F(xiàn)RAM是存儲(chǔ)界的實(shí)力派。除非易失性以外，F(xiàn)RAM還具備三大主要優(yōu)勢(shì)：高讀寫(xiě)入耐久性、高速寫(xiě)入以及低功耗，這是絕大多數(shù)同類(lèi)型存儲(chǔ)器無(wú)法比擬的。

英尚微電子

FRAM寫(xiě)入次數(shù)壽命高達(dá)10萬(wàn)億次、而EEPROM僅有百萬(wàn)次(10^6)。同時(shí)，F(xiàn)RAM寫(xiě)入數(shù)據(jù)可在150ns內(nèi)完成、速度約為EEPROM的1/30,000，寫(xiě)入一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)的功耗僅為150nJ、約為EEPROM的1/400，在電池供電應(yīng)用中具有無(wú)與倫比的優(yōu)勢(shì)。