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富士通型號MB85RS2MTA是采用262144字x8位的鐵電隨機存取存儲器芯片，使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術來形成非易失性存儲單元。能夠保持數據，而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85RS2MTA采用串行外圍設備接口SPI。 MB85RS2MTA中使用的存儲單元可用于1013個讀/寫操作，與Flash存儲器和E2PROM支持的讀和寫操作數量相比，有了顯著改進。MB85RS2MTA不需要花費很長時間就可以寫入閃存或E2PROM之類的數據，MB85RS2MTA不需要等待時間。FUJITSU代理可提供產品相關技術支持。 MB85RS2MTA特征 •位配置：262,144字x8位 •串行外圍設備接口：SPI（串行外圍設備接口） 對應于SPI模式0（0，0）和模式3（1，1） •工作頻率：40MHz（最大） •高耐久性：1013次/字節 •數據保留：10年（+ 85°C），95年（+ 55°C），200年以上（+ 35°C） •工作電源電壓：1.8 V至3.6 V •低功耗：工作電源電流2.3mA（最大@40 MHz） 待機電流50μA（最大值） 休眠電流10μA（最大值） •工作環境溫度（溫度范圍：-40°C至+ 85°C •封裝：8針塑料SOP（FPT-8P-M09） 8針塑料DIP（DIP-8P-M03） 符合RoHS 引腳 FRAM具有特性能成就技術“硬核”，FRAM是存儲界的實力派。除非易失性以外，FRAM還具備三大主要優勢：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數同類型存儲器無法比擬的。其中FRAM寫入次數壽命高達10萬億次、而EEPROM僅有百萬次(10^6)。同時FRAM寫入數據可在150ns內完成、速度約為EEPROM的1/30,000，寫入一個字節數據的功耗僅為150nJ、約為EEPROM的1/400，在電池供電應用中具有優勢。與傳統的存儲技術相比，FRAM在需要非易失性、高速讀寫、低功耗、高讀寫耐久等綜合性能的應用領域表現出眾、口碑良好。 |
