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新型的存儲器既具有RAM的優點，又有非失易失性特征，同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數有限等缺點。 鐵電隨機存儲器（FRAM) FRAM的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲產品同時擁有隨機存取存儲器(RAM)和非易失性存儲產品的特性。 當一個電場被加到鐵電晶體時，中心原子順著電場的方向在晶體里移動。當原子移動時，它通過一個能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內部電路感應到電荷擊穿并設置存儲器。移去電場后，中心原子保持不動，存儲器的狀態也得以保存FRAM存儲器不需要定時刷新，掉電后數據立即保存，它速度很快，且不容易寫壞。 FRAM存儲器技術和標準的CMOS制造工藝相兼容。鐵電薄膜被放宇CMOS襯層之上，并置于兩電極之間，使用金屬互連并鈍化后完成鐵電制造過程。 FM1808外部引腳FRAM產品有兩種基本形式，一種是并行結構，一種是申行結構。并行結構的FRAM與容量相同的sram芯片引腳兼容，串行結構的FRAM與同容量的串行EEPROM引腳兼容。 1.非易失性:掉電后數據能保存10年,所有產品都是工業級 2.擦寫次數多5V供電的FRAM的擦寫次數100億次低電壓的FRAM的擦寫次數為1億億次 3.速度快串口總線的FRAM的CLK的頻率高達20M并且沒有10MS的寫的等待周期并口的訪問速度70NS 4.功耗低靜態電流小于10UA讀寫電流小于150UA. 磁性隨機存儲器（MRAM) MRAM工作的基本原理與硬盤驅動器類似，與在硬盤上存儲數據一樣，數據以磁性的方商為依據，存儲為0或1。它存儲的數據具有永久性，直到被外界的磁場影響，才會改變這個磁性數據。因為運用磁性薦儲數據，所以MRAM在容童成本上有了很大的降低。 但是MRAM的磁介質與硬盤有著很大的不同。它的磁密度要大得多，也相當薄，因此產生的自感和阻尼要少得多，這也是MRAM速度天天快于硬盤的重要原因。當進行讀寫操作時，MRAM中的磁極方問控制單元會使用相反的磁力方向，以使數據流水線能同時進行讀寫操作，不延誤時間。 與面前流行的DDR或是RDRAM相比，MRAM的優勢依然明顯。除了非易失性外，僅在速度、功耗和體積上，MRAM也有較大的優勢。 256KB MRAM的通用存儲器芯片，其結構是16KB×16，讀寫周期小于50ns，在3伏特電壓下讀功耗為24mW。隨著技術的不斷革新，芯片存儲能力將進一步提升，而讀寫周期將控制在10ns以內，功耗將小于8mW。 |
