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Everspin是設(shè)計(jì)制造MRAM到市場和應(yīng)用的翹楚，在這些市場和應(yīng)用中，數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性是至關(guān)重要。MR25H40VDF是一個4194,304位MRAM設(shè)備系列，組織為524,288個8位字。對于必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，它們是理想的內(nèi)存解決方案。它們具有串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時序，沒有寫延遲并且讀/寫壽命不受限制。與其他串行存儲器不同，使用MR25H40VDF系列，讀取和寫入都可以在內(nèi)存中隨機(jī)發(fā)生，而寫入之間沒有延遲。 總覽 MR25H40VDF系列是SPI接口MRAM系列，其存儲器陣列使用芯片選擇（CS\），串行輸入（SI），串行輸出（SO）和串行串行時鐘（SCK）的四針接口邏輯上組織為512Kx8外設(shè)接口（SPI）總線。MRAM實(shí)現(xiàn)了SPI EEPROM和SPI Flash組件通用的命令子集。這樣SPI MRAM可以替換同一插槽中的這些組件，并在共享的SPI總線上進(jìn)行互操作。與其他串行存儲器替代品相比SPI MRAM具有卓越的寫入速度，無限的耐用性，低待機(jī)和運(yùn)行能力以及簡單，可靠的數(shù)據(jù)保留。 MR25H40VDF的優(yōu)點(diǎn) 與富士通FRAM相比，升級到Everspin MRAM具有許多優(yōu)勢： •更快的隨機(jī)訪問操作時間（50MHz/20nstCLK和40MHz/25nstCLK） •高可靠性和數(shù)據(jù)保留（在125C工作溫度下超過20年） •無限讀/寫耐久性 •無磨損問題 •掉電時的自動數(shù)據(jù)保護(hù) •競爭定價 •穩(wěn)定的制造業(yè)供應(yīng)鏈 普通引腳 MR25H40VDF是組織為512Kx8的4Mb非易失性RAM，采用標(biāo)稱3.3V電源供電，并且與FRAM兼容。它提供標(biāo)準(zhǔn)的8引腳Small Flag DFN（DF版）和8引腳DFN（DC版），它們具有多種封裝選項(xiàng)，可直接替代SPI-FRAM 8引腳塑料SOP封裝（表格1）。
SPI MRAM裸露金屬焊盤未連接至芯片，因此應(yīng)懸空或連接至Vss。從SPI FRAM遷移時，請確保SPI MRAM DFN和Small Flag DFN封裝的裸露金屬焊盤未焊接在PCB上。這樣做會導(dǎo)致SPI MRAM芯片暴露于過多的熱量中，這可能會導(dǎo)致位故障和裕量損失。 MR25H40VDF規(guī)格書下載 
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| MR25H40VDF是一個4194,304位MRAM設(shè)備系列，組織為524,288個8位字。對于必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，它們是理想的內(nèi)存解決方案。它們具有串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時序，沒有寫延遲并且讀/寫壽命不受限制。與其他串行存儲器不同，使用MR25H40VDF系列，讀取和寫入都可以在內(nèi)存中隨機(jī)發(fā)生，而寫入之間沒有延遲。 |
| MR25H40VDF是組織為512Kx8的4Mb非易失性RAM，采用標(biāo)稱3.3V電源供電，并且與FRAM兼容。它提供標(biāo)準(zhǔn)的8引腳Small Flag DFN（DF版）和8引腳DFN（DC版），它們具有多種封裝選項(xiàng)，可直接替代SPI-FRAM 8引腳塑料SOP封裝 |
