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FRAM是一種鐵電存儲器，它使用鐵電膜作為電容來存儲數據，即使數據沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲數據。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫，高讀寫耐久性，低功耗，防篡改等方面具有優勢。FRAM結合了ROM和RAM的特點，具有高速寫數據，低功耗，高速讀/寫周期等優點。 富士通型號MB85RS2MLY全新的2Mbit FRAM，可在125℃高溫下正常工作，工作電壓可低至1.7V至1.95V，并設有串行外設接口(SPI)。這種全新的FRAM產品是汽車電子控制單元的最佳選擇，它能滿足汽車市場對諸如ADAS這樣的低功耗電子器件的高端需求。 圖1:MB85RS2MLY 8pin DFN 封裝 圖2：應用實例(ADAS) FRAM的讀/寫耐久性、寫速度和功耗都比EEPROM和FRAM好，我們的FRAM被那些不滿足傳統非易失性存儲器性能的用戶所接受。 富士通不斷推出64Kbit~2Mbit汽車級FRAM產品，工作電壓3.3V或5V。但是高端汽車電控單元的推出，使一些用戶開始要求FRAM電壓不超過1.8V。這款全新的FRAM是富士通公司為滿足這個市場需求而推出的。 在-40°C至+125°C的溫度范圍內，MB85RS2MLY的讀/寫次數可達10MB，適合某些需要實時數據記錄的應用，如連續10年每天記錄0.1秒的數據，寫入次數將超過30億。本產品的可靠性測試符合AEC-Q100Grade1標準，并通過了汽車級產品認證。所以就數據寫入耐久性和可靠性而言，富士通電子最近推出的鐵電存儲器FRAM完全支持ADAS等應用，需要實時數據記錄。 該FRAM產品采用工業標準8-pin SOP封裝，可以很容易地替代現有的EEPROM，類似于管腳。提供8-pinDFN(無引線雙面平面)封裝，外形尺寸5.0mmx6.0mmx0.9mm。 圖3:8pin DFN和8pin SOP封裝 關鍵規格 • 組件型號：MB85RS2MLY • 容量（組態）：2 Mbit（256K x 8位） • 接口：SPI（Serial Peripheral Interface） • 運作頻率：最高50 MHz • 運作電壓：1.7伏特 - 1.95伏特 • 運作溫度范圍：攝氏零下40度 - 攝氏125度 • 讀∕寫耐用度：10兆次 (1013次) • 封裝規格：8-pin SOP與8-pin DFN • 認證標準：符合AEC-Q100 Grade 1 |
| FRAM是一種鐵電存儲器，它使用鐵電膜作為電容來存儲數據，即使數據沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲數據。 |
| 富士通型號MB85RS2MLY全新的2Mbit FRAM，可在125℃高溫下正常工作，工作電壓可低至1.7V至1.95V，并設有串行外設接口(SPI)。這種全新的FRAM產品是汽車電子控制單元的最佳選擇，它能滿足汽車市場對諸如ADAS這樣的低功耗電子器件的高端需求。 |
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關鍵規格 • 組件型號：MB85RS2MLY • 容量（組態）：2 Mbit（256K x 8位） • 接口：SPI（Serial Peripheral Interface） • 運作頻率：最高50 MHz • 運作電壓：1.7伏特 - 1.95伏特 • 運作溫度范圍：攝氏零下40度 - 攝氏125度 • 讀∕寫耐用度：10兆次 (1013次) • 封裝規格：8-pin SOP與8-pin DFN • 認證標準：符合AEC-Q100 Grade 1 |
