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華虹NEC 0.18微米BCD工藝進入量產(chǎn)

發(fā)布時間:2010-12-30 20:21    發(fā)布者:嵌入式公社
關鍵詞: BCD , 華虹
上海華虹NEC電子有限公司宣布其最新研發(fā)成功、處于業(yè)界領先地位的0.18微米BCD(BipolarCMOSDMOS)-- BCD180工藝技術進入量產(chǎn)。該新型BCD180工藝平臺是華虹NEC針對數(shù)字電源、電機驅動、音頻功放、LED驅動、電池保護和高端電源管理等新興應用而開發(fā)的,具有高集成度、低功耗、低開啟電阻、多樣工藝選項和可編程等優(yōu)點,極大地方便客戶選擇,為客戶提供更多的價值。

作為國內首家提供0.35微米BCD和CDMOS量產(chǎn)工藝平臺的代工廠,華虹NEC積累了豐富的BCD工藝技術的開發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗。基于量產(chǎn)五年以上的成熟的0.18微米邏輯CMOS工藝,結合自身積累的BCD技術,華虹NEC進一步開發(fā)了具有國際先進水平的0.18微米BCD量產(chǎn)平臺,性能指標達到國際先進水平,由此成為國內首家、全球少數(shù)幾家可以提供0.18微米BCD量產(chǎn)工藝的代工廠之一。

該工藝平臺配備了業(yè)界標準的1.8V/5V的數(shù)模混合CMOS技術,有助于減少設計人員開發(fā)和驗證邏輯電路的時間,從而減少開發(fā)周期。精心設計的高功率 LDMOS具有世界先進水平的低導通電阻和柵寄生電容,其最大工作電壓可達40V,主要面向模擬和高速開關應用,提高了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠度,開關速度更快,能量轉化效率更高,安全工作區(qū)更廣。
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sisc1525 發(fā)表于 2011-1-19 17:27:41
很強悍!!
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