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雖然JFET是適用于低成本高輸入阻抗放大器的優(yōu)秀器件，但存在著與溫度有關(guān)的增益漂移問題。不過只要在-55℃至125℃溫度范圍內(nèi)將漏極電流設(shè)為零漂移工作點(diǎn)就能改善這個問題。 圖1：J310與J309 JFET的跨導(dǎo)溫度曲線特性(安森美)。 我們針對此電路測試了多種JFET：索尼的2SK152-2、Interfet的IFN152以及Siliconix/Vishay/OnSemi的J309，因?yàn)樗鼈兌季哂休^高的增益和大約100pA的低柵極漏電流。這些JFET特別適用于1MΩ至1GΩ輸入阻抗的放大器設(shè)計(jì)。這個電路可以輕松地工作到100MHz以上。 圖2：很寬溫度范圍、增益穩(wěn)定的快速JFET高阻抗放大器。 此電路的一個優(yōu)勢是工作溫度范圍很寬(采用JFET時可達(dá)-55℃至125℃)。IC1可以保持在室溫環(huán)境下，用比如數(shù)英尺長的PTFE同軸電纜連接進(jìn)行溫度隔離。這樣JFET就可以安裝在非常冷的環(huán)境中以便獲得最低的噪聲，而低噪聲是該設(shè)計(jì)的一個主要目標(biāo)。 JFET Q1的輸入信號饋送到通過R3偏置到地的柵極(在采用電流源輸入情況下這個R3可以選用較低的阻值)。 JFET的源極通過基于IC1的電流到電壓反相轉(zhuǎn)換電路進(jìn)行偏置。對大多數(shù)JFET來說將控制靜態(tài)VGS的電壓Vref設(shè)置在0到3V之間，目的是使漏極電流位于零漂移中點(diǎn)，這樣能給輸入信號提供較大的動態(tài)范圍。通過調(diào)整，可以將Q1的Vref工作電流調(diào)整到約7mA至10mA，接近于零漂移點(diǎn)。為了設(shè)置正確，必須單獨(dú)分析每個JFET的工作電流。比如對2SK152-2而言，我測試過的1000個JFET的工作電流都在7.5mA±1mA之內(nèi)。 IC1是一個快速的電流反饋放大器(CFA)：ADI公司±12V至±15V的AD812和±5V的AD8009都得到了成功使用。反饋電阻R2可以從500Ω至5kΩ，還要并聯(lián)一個100pF的電容C1，以避免發(fā)生振蕩和過沖。記住，放大器的輸出由于偏置輸出電路的原因有個電壓偏移，因此最適合交流或脈沖信號。在R2/C1組合正確的情況下，10ns至100ns的上升時間是可行的。電流反饋放大器支持的工作增益范圍是2到10，由電阻R2進(jìn)行設(shè)置，當(dāng)增益太高時，放大器容易振蕩。 R1提供了測試輸出，用于測量流過JFET的電流。它還能產(chǎn)生一個快速的50Ω輸出，可直接連接示波器。輸出信號與輸入相比都是反相的——典型值是±100mV。對于直流偏置信號來說，柵極前面可以用一個約1nf至10nF的耦合電容。 |
