UnitedSiC宣布推出第3代1200V和650V碳化硅JFET,擴(kuò)展了現(xiàn)有的獨(dú)特常開啟型SiC JFET產(chǎn)品組合。 這些器件處于通常開啟狀態(tài),采用零電壓柵極驅(qū)動(dòng),因而特別適用于快速動(dòng)作、固態(tài)斷路器和電路保護(hù)等應(yīng)用,這些應(yīng)用中,通常在沒有柵極電源的情況下需要默認(rèn)為導(dǎo)通狀態(tài)。這些器件還可與Si-MOSFET串聯(lián)使用,形成強(qiáng)大的“超級共源共柵”,具有寬帶隙技術(shù)的所有優(yōu)勢,能提供極高的工作電壓,并易于柵極驅(qū)動(dòng)。新器件還可用于電子負(fù)載、無線充電同步整流和低功率反激式轉(zhuǎn)換器中的電源開關(guān),其中采用共源共柵配置的JFET可確保易于啟動(dòng)。新器件所面向的市場包括鐵路、電動(dòng)飛行器和電動(dòng)牽引中的電路保護(hù),以及高壓開關(guān)電源轉(zhuǎn)換等等。 SiC JFET器件能提供極佳的RDSA品質(zhì)因數(shù)(基于晶片面積歸一化的導(dǎo)通電阻),在電路保護(hù)應(yīng)用中具有低插入損耗。由于RDSON的正溫度系數(shù)和較為平坦的柵極閾值電壓對溫度曲線,這些部件可以很容易并聯(lián)使用。在以“線性”模式工作時(shí),SiC JFET表現(xiàn)出寬的安全工作區(qū)(SOA),而沒有其他技術(shù)容易受到的電流擁擠效應(yīng)和潺流效應(yīng)(current filament)等影響,使得它們特別適用于電子負(fù)載和電流限制器。SiC JFET中不存在柵極氧化物,因而也增強(qiáng)了抗輻射能力和總體的牢固性等附加優(yōu)勢。 這些器件的制造采用了UnitedSiC專有的6英寸晶圓工藝,其中包括先進(jìn)的晶圓減。╳afer-thinning)和晶片粘接(die-attach)技術(shù),具有出色的結(jié)至外殼熱阻。 新發(fā)布的第三代器件編號為UJ3N120070K3S(1200V/70mΩ)、UJ3N120035K3S(1200V/35mΩ)、UJ3N0650080K3S(650V/80mΩ)和UJ3N065025K3S(650V/25mΩ)。所有這些可選器件均采用方便的TO-247-3L封裝。 UnitedSiC工程副總裁Anup Bhalla表示:“當(dāng)您需要常通、超級牢固的器件時(shí),UnitedSiC的SiC JFET可提供無與倫比的系統(tǒng)價(jià)值。隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,對電路保護(hù)的需求也在不斷增長。動(dòng)作非?焖俚臄嗦菲骺梢院喕壍罓恳⒋昂驮絹碓蕉嗟碾妱(dòng)飛行器等電源電路設(shè)計(jì),而且在這些類型應(yīng)用中,SiC JFET也是最簡單、最高效的限流方案! 有關(guān)UnitedSiC JFET的應(yīng)用指南以及其他更多信息,請?jiān)L問:https://unitedsic.com/downloads/。 價(jià)格和供貨信息 UnitedSiC的第三代SiC JFET器件以批量1000件計(jì),起價(jià)為每片5.00美元,可在貿(mào)澤電子和其他當(dāng)?shù)胤咒N商處購買。 |