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碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布已經(jīng)推出一系列適用于與具備內(nèi)置低壓MOSFET的控制器IC共同封裝的SiC JFET晶片，由此可制造出速度極快，基于共源共柵的20～100W反激式產(chǎn)品。這些常導(dǎo)通型SiC JFET的工作電壓范圍為650～1700V，可幫助實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化的啟動(dòng)方案，具有零待機(jī)功耗，是大型反激式AC-DC應(yīng)用市場(chǎng)的理想選擇，其中包括消費(fèi)類(lèi)電子適配器和輔助電源等應(yīng)用。 控制器IC制造商可受益于較小的晶片尺寸，并具有極低RDS（ON）和電容。常導(dǎo)通型JFET在與控制器IC中集成的低Qg低壓MOSFET配合使用時(shí)，有助于滿(mǎn)足輕載和空載下功率消耗的相關(guān)法規(guī)。 SiC JFET在應(yīng)對(duì)重復(fù)的雪崩和短路時(shí)具有非常強(qiáng)大的能力，使SiC共源共柵在實(shí)用中非常穩(wěn)健。SiC JFET與控制IC中的LV MOSFET串聯(lián)連接，常導(dǎo)通型JFET的源極電壓在JFET關(guān)斷之前升至12V，IC開(kāi)始切換。經(jīng)過(guò)JFET的電流路徑可以用作控制器IC的啟動(dòng)電源。在轉(zhuǎn)換器開(kāi)始工作后，來(lái)自轉(zhuǎn)換器變壓器的輔助電源被門(mén)控（gated-in），沒(méi)有進(jìn)一步的功率損耗。 典型的低功率反激式應(yīng)用包括筆記本電腦和移動(dòng)設(shè)備充電器（20～65 W）等消費(fèi)類(lèi)電子輔助設(shè)備，其他應(yīng)用還包括工業(yè)應(yīng)用（如電機(jī)驅(qū)動(dòng)）的寬輸入（高達(dá)1400V）反激輔助電源，以及長(zhǎng)LED串等高功率照明應(yīng)用。 UnitedSiC首席執(zhí)行官Chris Dries表示：“隨著這些新型SiC JFET的推出，UnitedSiC現(xiàn)在已經(jīng)位居業(yè)內(nèi)擁有最廣泛SiC功率產(chǎn)品組合廠商之列，我們能夠通過(guò)晶片和分立封裝形式來(lái)提供高性能JFET功能。” 供貨信息 目前僅有UnitedSiC能夠提供七種晶片可供選擇，電壓額定值為從650～1700V，RDS（ON）值低至140mΩ，晶片具備三種尺寸，可小至0.8 mm x 0.8mm，以便于實(shí)現(xiàn)共同封裝。 欲了解更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)https://unitedsic.com。 |
