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大陸五大12寸晶圓廠 誰是產能冠軍?

發(fā)布時間:2015-4-8 14:50    發(fā)布者:chengong
關鍵詞: 晶圓 , 12寸


晶圓是最常用的半導體材料,同時,其尺寸對集成電路的制作直接相關。隨著國內大力發(fā)展集成電路產業(yè),晶圓廠的產能也同樣受到了關注。接下來就按月產能為大家梳理大陸12寸晶圓廠,誰會是產能冠軍?

首先介紹一下晶圓,晶圓(Wafer)是指硅半導體集成電路制作所用的硅芯片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓。晶圓是生產集成電路所用的載體,一般意義晶圓多指單晶硅圓片。晶圓是最常用的半導體材料,按其直徑分為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等規(guī)格,近來發(fā)展出12英寸甚至研發(fā)更大規(guī)格(14英寸、15英寸、16英寸、……20英寸以上等)。晶圓越大,同一圓片上可生產的IC就越多,可降低成本;但對材料技術和生產技術的要求更高,例如均勻度等等的問題。一般認為硅晶圓的直徑越大,代表著這座晶圓廠有更好的技術,在生產晶圓的過程當中,良品率是很重要的條件。

下面就按產能介紹國內五大12寸晶圓廠及其產能

聯(lián)電(廈門)聯(lián)華電子股份有限公司(簡稱“聯(lián)電”)成立于1980年,為臺灣第一家半導體公司。全球半導體業(yè)界的先驅,是第一家導入銅制程產出晶圓、生產12英寸晶圓、產出業(yè)界第一個65納米制程芯片的公司,同時也是第一家采用28納米制程技術產出芯片的公司。聯(lián)電的尖端晶圓制造技術協(xié)助客戶產出速度更快、效能更強的芯片,滿足今日應用產品的需要。聯(lián)電的尖端技術包括高介電系數(shù)/金屬閘極、低電介值、浸潤式微影術與混合信號/RFCMOS技術等。聯(lián)電是臺灣第一家提供晶圓制造服務的公司,也是臺灣第一家上市的半導體公司(1985年)。

聯(lián)電是12寸晶圓生產制造的領導者,目前有兩座運轉中的12寸晶圓廠。Fab 12A位于臺南,自2002年起便開始量產客戶產品,目前生產業(yè)界最先進的28納米制程產品,其單月晶圓產能超過50,000片。聯(lián)電的第二座晶圓廠Fab 12i位于新加坡,這座第二代12寸晶圓廠也已進入量產,單月晶圓產能為45,000片。先進的自動化設備、成熟的缺陷密度與具競爭力的生產周期,加上客戶導向的產能擴充計劃,使得聯(lián)電成為滿足客戶需求的最佳晶圓專工選擇。除了12寸廠外,聯(lián)電擁有七座8寸廠與一座6寸廠,生產半導體產業(yè)每個主要領域所需的產品。

聯(lián)電1月27日替子公司蘇州晶圓代工廠和艦科技公告,將以6.13億元人民幣、約新臺幣30.52億元,投資入股廈門12寸廠聯(lián)芯,持股比重將達33.33%。

根據(jù)聯(lián)電的規(guī)劃,聯(lián)電預計從2015年起5年內投資聯(lián)芯,總投資金額將上看13.5億美元,依計劃進度分期出資,初期將由聯(lián)電在大陸子公司和艦進行投資,未來聯(lián)電將擁有廈門12寸廠6席董事,等于具有營運主導權。而該廠預計今年動土興建,2016年以55納米及40納米制程投產,規(guī)劃的最大月產能為5萬片,并同可爭取大陸集成電路產業(yè)基金的補助。

聯(lián)電廈門12寸廠聯(lián)芯集成電路昨3月26日在廈門火炬高新區(qū)舉行動工典禮。

中芯國際(北京 武漢)    中芯國際集成電路制造有限公司(簡稱“中芯國際”),是世界領先的積體電路晶圓代工企業(yè)之一,也是中國內地規(guī)模最大、技術最先進的積體電路晶圓代工企業(yè)。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到28納米晶圓代工與技術服務。中芯國際總部位於上海,在上海建有一座300mm晶圓廠和一座200mm超大規(guī)模晶圓廠;在北京建有一座300mm超大規(guī)模晶圓廠,一座控股的300mm先進制程晶圓廠正在開發(fā)中;在天津和深圳各建有一座200mm晶圓廠。中芯國際還在美國、歐洲、日本和臺灣地區(qū)設立行銷辦事處、提供客戶服務,同時在香港設立了代表處。

中芯國際集成電路制造北京有限公司于2002年7月25日注冊成立,是中芯國際的全資子公司,現(xiàn)有員工約1700人。其擁有我國第一條12英寸集成電路生產線。主要是邏輯芯片代工,目前的產能是月產五萬片。

中芯國際武漢12英寸晶圓的產能是月產6萬片,其主要生產編碼型快閃存儲器。

英特爾(大連)   英特爾公司(Intel Corporation)是世界上最大的半導體公司,也是第一家推出x86架構處理器的公司,總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉。由羅伯特·諾伊斯、高登·摩爾、安迪·葛洛夫,以“集成電子”(Integrated Electronics)之名在1968年7月18日共同創(chuàng)辦公司,將高級芯片設計能力與領導業(yè)界的制造能力結合在一起。英特爾早期在開發(fā)SRAM與DRAM的存儲器芯片,在1990年代之前這些存儲器芯片是英特爾的主要業(yè)務。在1990年代時,英特爾做了相當大的投資在新的微處理器設計上與培養(yǎng)快速崛起的PC工業(yè)。

英特爾 1985 年在北京設立代表處。今天英特爾公司已經(jīng)成為在華最大的外國投資企業(yè)之一,員工人數(shù)超過 7,500 人。英特爾中國也是英特爾全球部署最全面的第二大機構,包括了芯片制造、封裝測試,新技術研究、產品開發(fā)及營銷——英特爾大連芯片廠是英特爾亞洲首家晶圓制造廠,英特爾成都工廠是世界一流的芯片封裝測試廠,位于北京的英特爾中國研究院專注于前瞻性嵌入式系統(tǒng)研究,位于上海的英特爾亞太研發(fā)中心則是英特爾在中國的研發(fā)基地和創(chuàng)新中心。

英特爾大連芯片廠是英特爾半導體(大連)有限公司在大連市投資 25 億美元建設的先進半導體芯片制造廠,也是英特爾在亞洲設立的第一座芯片廠。工廠于 2007 年底開始建設,2009 年建成投入使用,2010 年 10 月正式投產。大連芯片廠的總建筑面積為 16.3 萬平米,其中潔凈廠房面積達 1.5 萬平方米,采用業(yè)界主流的 300 毫米硅晶圓和英特爾成熟的 65 納米制程工藝生產電腦芯片組產品。

英特爾大連的晶圓廠目前主要生產處理器,月產能是5.2萬片。

1978年,三星半導體從三星電子公司分立出來而成為獨立的實體,1983年起隨著成功發(fā)展了64KDRAM超大規(guī)模集成電路,從此在單一家電類半導體產品基礎上發(fā)展了許多新的半導體產品,逐漸成為全球領先的半導體廠商。它的半導體產品主要有DRAM、SRAM、閃速存儲器、ASIC、CPU和TFF-LCD板等等。

三星(西安)   

三星半導體部門從2014年第3季開始,連2季取代了負責主力智能手機事業(yè)的IM(Information technology & Mobile Communications)部門,拿下三星獲利金雞母頭銜。

三星西安半導體于5月9日竣工,由此高端閃存芯片正式開始量產。西安半導體于2012年9月舉行開工奠基儀式,建筑工期約20個月,園區(qū)占地約114萬平方米,總建筑面積約23萬平方米,生產10納米級NAND 閃存芯片(V-NAND)。三星高端閃存芯片項目從2012年9月12日正式動工,僅僅用了20個月就完成了項目工程建設、設備安裝調試、工作人員入住等工作。

西安半導體目前的產能是月產10萬片。

SK海力士(無錫)   截至2014年,在SK海力士的總營收中,NAND Flash占比20%,其中SSD占比重約10%。SK海力士計劃2015年將NAND Flash營收中,SSD所占比重擴大到兩位數(shù),提升NAND Flash的事業(yè)力量。2014年創(chuàng)下了公司成立以來,史上新高的營收、營利。

2015年,SK海力士決定采取選擇與集中策略,聚焦于20納米(nm)微細制程DRAM、三階儲存單元(Triple-Level Cell;TLC)的NAND Flash技術,以及固態(tài)硬盤(SSD)等優(yōu)勢領域。較弱勢的系統(tǒng)芯片方面,將集中發(fā)展CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor;CIS)。

海力士無錫公司主要產品為12英寸集成電路晶圓,應用于PC,Server,Graphic,Mobile,Graphic等固態(tài)存儲器領域。SK海力士中國公司是無錫市惟一獲得國務院核準建設的工業(yè)項目,一期總投資為20億美元,二期投資15億美元,三期項目投資25.55億美元,四期項目投資20億美元,SK海力士項目是國內半導體投資最大、技術最先進的項目也是江蘇省最大的外商投資單體項目。

SK海力士無錫廠于2013年9月4日遭火災沖擊,由于起火點在晶圓廠內部,無錫廠全面停工長達一個月,單月全球DRAM供給量劇減10%。SK海力士無錫廠火災過后的10月與11月份投片為3萬片及7萬片左右。無錫廠滿載為13萬片。

SK海力士半導體公司(SK Hynix Semiconductor Inc.)是一家韓國的電子公司,全球二十大半導體廠商之一。海力士于1983年以現(xiàn)代電子產業(yè)有限公司的名字創(chuàng)立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM,后來是SDRAM。2001年他們以6億5000萬美元的價格出售TFT LCD業(yè)務,同年他們開發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。2012年初,韓國第三大財閥SK集團宣布收購海力士21.05%的股份從而入主這家內存大廠。
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