晶圓是最常用的半導體材料，同時，其尺寸對集成電路的制作直接相關。隨著國內大力發展集成電路產業，晶圓廠的產能也同樣受到了關注。接下來就按月產能為大家梳理大陸12寸晶圓廠，誰會是產能冠軍？ 首先介紹一下晶圓，晶圓（Wafer）是指硅半導體集成電路制作所用的硅芯片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。晶圓是生產集成電路所用的載體，一般意義晶圓多指單晶硅圓片。晶圓是最常用的半導體材料，按其直徑分為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等規格，近來發展出12英寸甚至研發更大規格（14英寸、15英寸、16英寸、……20英寸以上等）。晶圓越大，同一圓片上可生產的IC就越多，可降低成本；但對材料技術和生產技術的要求更高，例如均勻度等等的問題。一般認為硅晶圓的直徑越大，代表著這座晶圓廠有更好的技術，在生產晶圓的過程當中，良品率是很重要的條件。 下面就按產能介紹國內五大12寸晶圓廠及其產能 聯電（廈門）聯華電子股份有限公司（簡稱“聯電”）成立于1980年，為臺灣第一家半導體公司。全球半導體業界的先驅，是第一家導入銅制程產出晶圓、生產12英寸晶圓、產出業界第一個65納米制程芯片的公司，同時也是第一家采用28納米制程技術產出芯片的公司。聯電的尖端晶圓制造技術協助客戶產出速度更快、效能更強的芯片，滿足今日應用產品的需要。聯電的尖端技術包括高介電系數/金屬閘極、低電介值、浸潤式微影術與混合信號/RFCMOS技術等。聯電是臺灣第一家提供晶圓制造服務的公司，也是臺灣第一家上市的半導體公司（1985年）。 聯電是12寸晶圓生產制造的領導者，目前有兩座運轉中的12寸晶圓廠。Fab 12A位于臺南，自2002年起便開始量產客戶產品，目前生產業界最先進的28納米制程產品，其單月晶圓產能超過50，000片。聯電的第二座晶圓廠Fab 12i位于新加坡，這座第二代12寸晶圓廠也已進入量產，單月晶圓產能為45，000片。先進的自動化設備、成熟的缺陷密度與具競爭力的生產周期，加上客戶導向的產能擴充計劃，使得聯電成為滿足客戶需求的最佳晶圓專工選擇。除了12寸廠外，聯電擁有七座8寸廠與一座6寸廠，生產半導體產業每個主要領域所需的產品。 聯電1月27日替子公司蘇州晶圓代工廠和艦科技公告，將以6.13億元人民幣、約新臺幣30.52億元，投資入股廈門12寸廠聯芯，持股比重將達33.33％。 根據聯電的規劃，聯電預計從2015年起5年內投資聯芯，總投資金額將上看13.5億美元，依計劃進度分期出資，初期將由聯電在大陸子公司和艦進行投資，未來聯電將擁有廈門12寸廠6席董事，等于具有營運主導權。而該廠預計今年動土興建，2016年以55納米及40納米制程投產，規劃的最大月產能為5萬片，并同可爭取大陸集成電路產業基金的補助。 聯電廈門12寸廠聯芯集成電路昨3月26日在廈門火炬高新區舉行動工典禮。 中芯國際（北京 武漢） 中芯國際集成電路制造有限公司（簡稱“中芯國際”），是世界領先的積體電路晶圓代工企業之一，也是中國內地規模最大、技術最先進的積體電路晶圓代工企業。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到28納米晶圓代工與技術服務。中芯國際總部位於上海，在上海建有一座300mm晶圓廠和一座200mm超大規模晶圓廠；在北京建有一座300mm超大規模晶圓廠，一座控股的300mm先進制程晶圓廠正在開發中；在天津和深圳各建有一座200mm晶圓廠。中芯國際還在美國、歐洲、日本和臺灣地區設立行銷辦事處、提供客戶服務，同時在香港設立了代表處。 中芯國際集成電路制造北京有限公司于2002年7月25日注冊成立，是中芯國際的全資子公司，現有員工約1700人。其擁有我國第一條12英寸集成電路生產線。主要是邏輯芯片代工，目前的產能是月產五萬片。 中芯國際武漢12英寸晶圓的產能是月產6萬片，其主要生產編碼型快閃存儲器。 英特爾（大連） 英特爾公司（Intel Corporation）是世界上最大的半導體公司，也是第一家推出x86架構處理器的公司，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉。由羅伯特·諾伊斯、高登·摩爾、安迪·葛洛夫，以“集成電子”（Integrated Electronics）之名在1968年7月18日共同創辦公司，將高級芯片設計能力與領導業界的制造能力結合在一起。英特爾早期在開發SRAM與DRAM的存儲器芯片，在1990年代之前這些存儲器芯片是英特爾的主要業務。在1990年代時，英特爾做了相當大的投資在新的微處理器設計上與培養快速崛起的PC工業。 英特爾 1985 年在北京設立代表處。今天英特爾公司已經成為在華最大的外國投資企業之一，員工人數超過 7，500 人。英特爾中國也是英特爾全球部署最全面的第二大機構，包括了芯片制造、封裝測試，新技術研究、產品開發及營銷——英特爾大連芯片廠是英特爾亞洲首家晶圓制造廠，英特爾成都工廠是世界一流的芯片封裝測試廠，位于北京的英特爾中國研究院專注于前瞻性嵌入式系統研究，位于上海的英特爾亞太研發中心則是英特爾在中國的研發基地和創新中心。 英特爾大連芯片廠是英特爾半導體（大連）有限公司在大連市投資 25 億美元建設的先進半導體芯片制造廠，也是英特爾在亞洲設立的第一座芯片廠。工廠于 2007 年底開始建設，2009 年建成投入使用，2010 年 10 月正式投產。大連芯片廠的總建筑面積為 16.3 萬平米，其中潔凈廠房面積達 1.5 萬平方米，采用業界主流的 300 毫米硅晶圓和英特爾成熟的 65 納米制程工藝生產電腦芯片組產品。 英特爾大連的晶圓廠目前主要生產處理器，月產能是5.2萬片。 1978年，三星半導體從三星電子公司分立出來而成為獨立的實體，1983年起隨著成功發展了64KDRAM超大規模集成電路，從此在單一家電類半導體產品基礎上發展了許多新的半導體產品，逐漸成為全球領先的半導體廠商。它的半導體產品主要有DRAM、SRAM、閃速存儲器、ASIC、CPU和TFF-LCD板等等。 三星（西安） 三星半導體部門從2014年第3季開始，連2季取代了負責主力智能手機事業的IM（Information technology & Mobile Communications）部門，拿下三星獲利金雞母頭銜。 三星西安半導體于5月9日竣工，由此高端閃存芯片正式開始量產。西安半導體于2012年9月舉行開工奠基儀式，建筑工期約20個月，園區占地約114萬平方米，總建筑面積約23萬平方米，生產10納米級NAND 閃存芯片（V-NAND）。三星高端閃存芯片項目從2012年9月12日正式動工，僅僅用了20個月就完成了項目工程建設、設備安裝調試、工作人員入住等工作。 西安半導體目前的產能是月產10萬片。 SK海力士（無錫） 截至2014年，在SK海力士的總營收中，NAND Flash占比20%，其中SSD占比重約10%。SK海力士計劃2015年將NAND Flash營收中，SSD所占比重擴大到兩位數，提升NAND Flash的事業力量。2014年創下了公司成立以來，史上新高的營收、營利。 2015年，SK海力士決定采取選擇與集中策略，聚焦于20納米（nm）微細制程DRAM、三階儲存單元（Triple-Level Cell；TLC）的NAND Flash技術，以及固態硬盤（SSD）等優勢領域。較弱勢的系統芯片方面，將集中發展CMOS影像感測器（CMOS Image Sensor；CIS）。 海力士無錫公司主要產品為12英寸集成電路晶圓，應用于PC，Server，Graphic，Mobile，Graphic等固態存儲器領域。SK海力士中國公司是無錫市惟一獲得國務院核準建設的工業項目，一期總投資為20億美元，二期投資15億美元，三期項目投資25.55億美元，四期項目投資20億美元，SK海力士項目是國內半導體投資最大、技術最先進的項目也是江蘇省最大的外商投資單體項目。 SK海力士無錫廠于2013年9月4日遭火災沖擊，由于起火點在晶圓廠內部，無錫廠全面停工長達一個月，單月全球DRAM供給量劇減10%。SK海力士無錫廠火災過后的10月與11月份投片為3萬片及7萬片左右。無錫廠滿載為13萬片。 SK海力士半導體公司（SK Hynix Semiconductor Inc.）是一家韓國的電子公司，全球二十大半導體廠商之一。海力士于1983年以現代電子產業有限公司的名字創立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM，后來是SDRAM。2001年他們以6億5000萬美元的價格出售TFT LCD業務，同年他們開發出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。2012年初，韓國第三大財閥SK集團宣布收購海力士21.05%的股份從而入主這家內存大廠。 |
