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ST發(fā)布先進功率MOSFET系列產(chǎn)品 先期推出900/950V兩款 SuperMESH 5

發(fā)布時間:2012-9-13 10:13    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 功率MOSFET , SuperMESH
意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管,助力技術(shù)型企業(yè)滿足日益嚴格的生態(tài)設(shè)計標準對功率和能效的要求,瞄準太陽能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動汽車等綠色能源應用。

新產(chǎn)品包括業(yè)內(nèi)首個可承受950V峰值電壓的超結(jié)晶體管(MOSFET)、同類產(chǎn)品中能效最高的900V晶體管和全球上唯一采用節(jié)省空間的PowerFLAT 8x8 HV超薄封裝的850V器件。超結(jié)技術(shù)可提高MOSFET管的工作電壓,降低導通電阻-芯片尺寸比,使電源產(chǎn)品在縮減封裝總體尺寸的同時提高系統(tǒng)可靠性和能效。

意法半導體是超結(jié)MOSFET(super-junction MOSFETs)的主要供應商,現(xiàn)在開始提供目前市場上額定電壓最高的解決方案,同時還是目前僅有的兩家900V超結(jié)晶體管供應商之一。此外,該系列產(chǎn)品不久后將增加800V器件。



超結(jié)技術(shù)讓世界更環(huán)保

在展示SuperMESH 5器件的高能效的同時,意法半導體還公布了首個成功應用超高壓MOSFET的客戶設(shè)計的細節(jié)。意大利固態(tài)照明創(chuàng)新企業(yè)TCI (www.tcisaronno.net)在其最新的LED驅(qū)動器設(shè)計中選用LEDIPAK封裝的950V STU6N95K5做主電源,為設(shè)計先進且功能豐富的LED照明燈供電,使其成為高成本效益的小型LED照明市場的能效標桿。意法半導體功率晶體管產(chǎn)品部市場總監(jiān)Maurizio Giudice表示:“ 意法半導體最新的SuperMESH 5技術(shù)讓TCI創(chuàng)立了市場上最高的能效和安全系數(shù),為客戶提供極具吸引力的價值主張!

意法半導體新的超結(jié)MOSFET的其它主要應用包括平板電視、PC電源、LED照明驅(qū)動器和高壓氣體放電燈(HID)電子鎮(zhèn)流器。MOSFET將讓設(shè)計人員能夠達到美國能源之星(Energy Star)和歐盟能源相關(guān)產(chǎn)品(Energy-related Products,ErP)指令等生態(tài)設(shè)計標準中日益嚴格的功率上限和能源下限要求。

例如,最新的能源之星電視機能效規(guī)范(5.3版)提出了更嚴格的生態(tài)設(shè)計規(guī)定,要求50英寸以及以上的平板電視的最大絕對功率為108.0瓦。另一個生態(tài)設(shè)計標準日益嚴格的例子是,ErP的照明指令提高了2012年至2017年期間制造的各類HID燈的能效下限標準。

意法半導體的新超結(jié)MOSFET耐高壓特性可提高系統(tǒng)安全性和可靠性。對于HID燈鎮(zhèn)流器和其它的以電網(wǎng)或更高電壓為電源的電力應用系統(tǒng),例如太陽能微逆變器和電動汽車充電樁,耐高壓是一個重要優(yōu)點。為最大限度減少電動汽車的充電時間和運行成本,充電樁需要極高的功率轉(zhuǎn)換效率。在微型發(fā)電機逆變器內(nèi),高能效的MOSFET讓設(shè)計人員能夠使用更高的開關(guān)頻率,輸出高質(zhì)量的交流電能,同時降低能耗和解決方案尺寸。

SuperMESH 5 MOSFET的主要特性

新推出的MOSFET晶體管是首批采用意法半導體的 SuperMESH™ 5第五代超結(jié)技術(shù)的產(chǎn)品。新產(chǎn)品包括采用各種封裝的900V STx21N90K5、950V STx20N95K5和950V STx6N95K5。STL23N85K5 850V采用PowerFLAT 8x8 HV高壓表面貼裝封裝,占位面積為64mm2, 比工業(yè)標準的D2PAK封裝小56%。此外,這款產(chǎn)品的安裝高度為1mm,比工業(yè)標準的D2PAK封裝低77%,適用于超薄型應用設(shè)計。

900V STP21N90K5的靈敏值(Figure of Merit,F(xiàn)OM)反映了該產(chǎn)品接通電源以及導通和關(guān)斷時的總體能效,比市場上唯一可比產(chǎn)品低62.5%。如果不使用其它品牌而選用STP21N90K5,設(shè)計人員即可大幅提高能效。

  
產(chǎn)品型號
  
額定電壓
RDS(ON)
封裝選項
注釋
  
STx23N85K5
  
850V
0.275Ω
TO-247, PowerFLAT 8x8 HV
PowerFLAT 1mm厚表面貼裝
  
最低的FOM (RDS(ON) x Qg)
  
超低柵電荷
  
100%雪崩測試
  
G-S齊納二極管保護
  
STx21N90K5
  
900V
0.299Ω
TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK
TO-220封裝的900V-950V的RDS(ON)最低
  
最低的FOM (RDS(ON) x Qg)
  
超低柵電荷
  
100%雪崩測試
  
G-S齊納二極管保護
  
STx20N95K5
  
950V
0.330Ω
TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK
  
STx6N95K5
  
950V
1.25Ω
TO-220, TO-220FP, TO-247, DPAK, IPAK
最低的FOM (RDS(ON) x Qg)
  
超低柵電荷
  
100%雪崩測試
  
G-S齊納二極管保護

新的SuperMESH 5產(chǎn)品已開始提供樣片并接受生產(chǎn)訂單,詳情請查詢www.st.com/pmos
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