東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品于今日開始支持批量出貨。
自動駕駛系統等高安全級別的應用可通過冗余設計確保可靠性，因此與標準系統相比，它們集成了更多的器件，需要更多的表貼空間。所以，要進一步縮小汽車設備的尺寸，需要能夠在高電流密度下表貼的功率MOSFET。 XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用東芝的新型S-TOGLTM封裝（7.0mm×8.44mm[1]），其特點是采用無接線柱結構，將源極連接件和外部引腳一體化。源級引腳的多針結構降低了封裝電阻。 與具有相同熱阻特性的東芝TO-220SM（W）封裝產品[2]相比，S-TOGLTM封裝與東芝U-MOS IX-H工藝相結合，可實現導通電阻顯著降低11%。與TO-220SM（W）封裝相比，新型封裝還將所需的表貼面積減少了大約55%。此外，采用新型封裝的產品可提供200A漏極額定電流，高于東芝類似尺寸的DPAK＋封裝（6.5mm×9.5mm[1]）產品，從而實現了大電流。總體而言，S-TOGLTM封裝可實現高密度和緊湊布局，縮小汽車設備的尺寸，并有助于實現高散熱。 由于汽車設備可能在極端溫度環境下工作，因此表面貼裝焊點的可靠性是一個關鍵考慮因素。S-TOGLTM封裝采用鷗翼式引腳，可降低表貼應力，提高焊點的可靠性。 當需要并聯多個器件為應用提供更大工作電流時，東芝支持這兩款新產品按柵極閾值電壓分組出貨[3]。這樣可以確保設計使用同一組別的產品，從而減小特性偏差。 東芝將繼續擴展其功率半導體產品線，并通過用戶友好型、高性能功率器件為實現碳中和做出貢獻。 應用 - 汽車設備：逆變器、半導體繼電器、負載開關、電機驅動等 特性 - 新型S-TOGLTM封裝：7.0mm×8.44mm（典型值） - 高額定漏極電流： XPJR6604PB：ID＝200A XPJ1R004PB：ID＝160A - AEC-Q101認證 - 提供IATF 16949/PPAP[4] - 低導通電阻： XPJR6604PB：RDS(ON)＝0.53mΩ（典型值）（VGS＝10V） XPJ1R004PB：RDS(ON)＝0.8mΩ（典型值）（VGS＝10V） 主要規格
[1] 典型封裝尺寸，包括引腳。 [2] TKR74F04PB采用TO-220SM（W）封裝。 [3] 東芝可以提供分組出貨，每卷產品的柵極閾值電壓浮動范圍為0.4V。但是不允許指定特定組別。請聯系東芝銷售代表了解更多信息。 [4] 請聯系東芝銷售代表了解更多信息。 如需了解有關新產品的更多信息，請訪問以下網址： XPJR6604PB https://toshiba-semicon-storage. ... ail.XPJR6604PB.html XPJ1R004PB https://toshiba-semicon-storage. ... ail.XPJ1R004PB.html 如需了解東芝車載MOSFET的更多信息，請訪問以下網址： 車載MOSFET https://toshiba-semicon-storage. ... motive-mosfets.html | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
