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東芝推出新一代DTMOSVI高速二極管型功率MOSFET,助力提高電源效率

發(fā)布時間:2024-2-22 19:58    發(fā)布者:eechina
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,在新一代[1]具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI(HSD),該系列適用于包括數據中心和光伏功率調節(jié)器等應用的開關電源。首批采用TO-247封裝的兩款650 V N溝道功率MOSFET產品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”,于今日開始支持批量出貨。



新產品采用高速二極管,旨在改善橋式電路和逆變電路應用中至關重要的反向恢復[2]特性。與標準型DTMOSVI相比,新產品將反向恢復時間(trr)縮短了65 %,并將反向恢復電荷(Qrr)減少88 %(測試條件:-dIDR/dt=100 A/μs)。

新產品采用的DTMOSVI(HSD)工藝改善了東芝DTMOSIV系列(DTMOSIV(HSD))的反向恢復特性,并在高溫下具有更低的漏極截止電流。此外,新產品的品質因數“漏極-源極導通電阻×柵極-漏極電荷”也更低。相較于東芝現(xiàn)有的TK62N60W5[4] [5]器件,TK042N65Z5的高溫漏極截止電流降低了約90 %[3],漏極-源極導通電阻×柵極-源極電荷降低了72 %。這將一進步將降低功率損耗,有助于提高產品效率。在1.5 kW LLC電路[6]測試中,與使用TK62N60W5相比,使用TK042N65Z5可使電源效率提高約為0.4 %。

即日起,客戶可在東芝網站上獲取使用TK095N65Z5的參考設計“1.6 kW服務器電源(升級版)”。此外,東芝還提供支持開關電源電路設計的相關工具。除能夠迅速驗證電路功能的G0 SPICE模型外,現(xiàn)在還提供能夠準確地再現(xiàn)電路瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型。

東芝計劃在未來擴展DTMOSVI(HSD)的產品線。新器件將采用TO-220和TO-220SIS通孔型封裝,以及TOLL和DFN 88表貼型封裝。

此外,在已推出的650 V和600 V產品以及新的高速二極管型產品基礎上,東芝還將繼續(xù)擴展DTMOSVI系列的產品線,以提高開關電源的效率,為設備節(jié)能做出貢獻。


標準型和高速二極管型650 V功率MOSFET的Qrr比較


TK095N65Z5與TK35N65W5的IDSS@150 °C×trr比較


TK042N65Z5和TK62N60W5的RDS(ON)×Qgd比較


TK042N65Z5和TK62N60W5的效率比較

使用新產品的參考設計“1.6 kW服務器電源(升級版)”


電路板外觀


簡易方框圖

        應用:
工業(yè)設備
-        開關電源(數據中心服務器、通信設備等)
-        電動汽車充電站
-        光伏發(fā)電機組的功率調節(jié)器
-        不間斷電源系統(tǒng)

        特點:
-        新一代DTMOSVI系列高速二極管型產品
-        高速二極管型產品的反向恢復時間:
TK042N65Z5 trr=160 ns(典型值)
TK095N65Z5 trr=115 ns(典型值)
-        通過低柵漏電荷實現(xiàn)高速開關時間:
TK042N65Z5 Qgd=35 nC(典型值)
TK095N65Z5 Qgd=17 nC(典型值)

        主要規(guī)格:
(除非另有說明,Ta=25 °C)

器件型號
TK042N65Z5TK095N65Z5
封裝
名稱
TO-247
尺寸(mm)
典型值
15.94Í20.95,厚度=5.02
絕對最大額定值
漏極-源極電壓VDSS(V)
650
漏極電流(DC)ID(A)
5529
漏極-源極導通電阻RDS(ON)(Ω)
VGS=10 V最大值0.0420.095
總柵極電荷Qg(nC)
典型值10550
柵極-漏極電荷Qgd(nC)
典型值3517
輸入電容Ciss(pF)
典型值62802880
結點對外殼熱阻Rth(ch-c)(°C/W)
最大值0.3470.543
反向恢復時間trr(ns)
典型值160115
東芝現(xiàn)有系列(DTMOSIV)器件型號
TK62N60W5[7]TK35N65W5、TK31N60W5[7]



注:
[1] 截至2024年2月22日的東芝調查。
[2] MOSFET體二極管從正向偏置切換到反向偏置的開關動作
[3] 數值由東芝測量得出:
-        新產品TK042N65Z5為0.2 mA(測試條件:VDS=650 V、VGS=0 V、Ta=150 °C)
-        現(xiàn)有產品TK62N60W5為1.9 mA(測試條件:VDS=600 V、VGS=0 V、Ta=150 °C)
[4] 600 V DTMOSIV(HSD)系列
[5] 數值由東芝測量得出。
測試條件:
-        TK62N60W5
RDS(ON):ID=30.9 A、VGS=10 V、Ta=25 °C
Qgd:VDD=400 V、VGS=10 V、ID=61.8 A、Ta=25 °C
-        TK042N65Z5
RDS(ON):ID=27.5 A、VGS=10 V、Ta=25 °C
Qgd:VDD=400 V、VGS=10 V、ID=55 A、Ta=25 °C
[6] 數值由東芝測量得出。
測試條件:Vin=380 V、Vout=54 V、Ta=25 °C
[7] VDSS=600 V

如需了解有關新產品的更多信息,請訪問以下網址:
TK042N65Z5
https://toshiba-semicon-storage. ... ail.TK042N65Z5.html

TK095N65Z5
https://toshiba-semicon-storage. ... ail.TK095N65Z5.html

如需了解東芝MOSFET產品的更多信息,請訪問以下網址:
MOSFET
https://toshiba-semicon-storage. ... roduct/mosfets.html


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