東芝推出100V N溝道功率MOSFET，助力實現電源電路小型化

發布時間：2023-6-29 19:19 發布者：eechina

關鍵詞： U-MOS , N溝道 , 功率MOSFET , TPH3R10AQM

—采用最新一代工藝，可提供低導通電阻和擴展的安全工作區—

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產品適用于數據中心和通信基站所用的工業設備電源線路上的開關電路和熱插拔電路[1]等應用。該產品于今日開始支持批量出貨。

TPH3R10AQM具有業界領先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝目前100V產品“TPH3R70APL”低16%[2]。通過同樣的比較，TPH3R10AQM將安全工作區擴展了76%[3]，使其適合線性模式工作。而且降低導通電阻和擴大安全工作區的線性工作范圍可以減少并聯連接的數量。此外，其柵極閾值電壓范圍為2.5V至3.5V，不易因柵極電壓噪聲而發生故障。

新產品采用高度兼容的SOP Advance(N)封裝。

未來，東芝將繼續擴展其功率MOSFET產品線，通過減少損耗來提高電源效率，并幫助降低設備功耗。

 應用
- 數據中心和通信基站等通信設備的電源
- 開關電源（高效率DC-DC轉換器等）

 特性
- 具有業界領先的[2]低導通電阻：RDS(ON)＝3.1mΩ（最大值）（VGS＝10V）
- 寬安全工作區
- 高額定結溫：Tch（最大值）＝175℃

 主要規格

（除非另有說明，Ta＝25℃）

555"> 器件型號			TPH3R10AQM
絕對最大額定值	漏極-源極電壓VDSS（V）		100
	漏極電流（DC）ID（A）	Tc＝25℃	120
	結溫Tch（℃）		175
電氣特性	漏極-源極導通電阻RDS(ON)	VGS＝10V	3.1
	最大值（mΩ）	VGS＝6V	6
	總柵極電荷（柵極-源極+柵極-漏極）Qg典型值（nC）		83
	柵極開關電荷Qsw典型值（nC）		32
	輸出電荷Qoss典型值（nC）		88
	輸入電容Ciss典型值（pF）		5180
封裝	名稱		SOP Advance(N)
	尺寸典型值（mm）		4.9×6.1
庫存查詢與購買			在線購買

注：
[1] 在設備運行時，在不關閉系統的情況下導通和關斷系統部件的電路。
[2] 截至2023年6月的東芝調查。
[3] 脈沖寬度：tw＝10ms，VDS＝48V

如需了解有關新產品的更多信息，請訪問以下網址：
TPH3R10AQM
https://toshiba-semicon-storage. ... ail.TPH3R10AQM.html

如需了解東芝MOSFET產品的更多信息，請訪問以下網址：
MOSFET
https://toshiba-semicon-storage. ... roduct/mosfets.html

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TPH3R10AQM
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