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美高森美公司(Microsemi )宣布推出用于大功率航空交通管制(air traffic control, ATC)、二次監視無線電 (secondary surveillance radio, SSR)應用的射頻(RF)晶體管系列中的首款產品1011GN-700ELM。SSR用于發送信息至裝備有雷達應答器的飛機并收集信息，允許航空交通控制系統識別、跟蹤和測量特定飛機的位置。美高森美新型700W峰值1011GN-700ELM器件的工作頻率為1030MHz，并且支持短脈沖和長脈沖擴展長度信息(extended length message, ELM) 。新型晶體管基于碳化硅襯底氮化鎵(GaN on SiC) 技術，這項技術特別適合大功率電子應用。 美高森美公司RF集成系統產品部門副總裁David Hall表示：“我們積極推進下一代GaN on SiC功率器件的開發，把握不斷增長的更高性能航天和軍事應用的機會。通過發布新產品，我們現在提供功率為250、500和700W的高可靠性GaN on SiC晶體管，用于二次監控雷達搜索和跟蹤應用。我們還在研發多個其它GaN on SiC晶體管產品，將于今年稍后時間推出。” 美高森美即將推出的產品包括多個用于L，S和C波段雷達系統的高脈沖功率GaN on SiC晶體管，還提供一整套GaN微波功率器件，包括S波段雷達型款：2729GN-150，2729GN-270，2731GN-110M，2731GN-200M，3135GN-100M，3135GN-170M，2735GN-35M和2735GN-100M。正在開發的數款新產品包括用于涵蓋960-1215 MHz的L波段航空電子產品；涵蓋1200-1400MHz的L波段雷達，以及涵蓋2.7-2.9 GHzS波段雷達的較大功率器件。 關于1011GN-700ELM RF晶體管 1011GN-700ELM晶體管具有無與倫比的性能，包括700W峰值功率，21dB功率增益，以及1030 Mhz下70% 漏極效率，以期降低總體漏極電流和熱耗散，其它的主要產品特性包括： • 短脈沖和長脈沖間歇模式: ELM = 2.4 ms, 64%和6.4% LTD • 出色的輸出功率: 700W • 高功率增益: >21 dB最小值 • 受控的動態范圍: 增量1.0dB，總計15 dB • 漏極偏壓 - Vdd: +65V 使用GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)實現的系統優勢包括： • 采用簡化阻抗匹配的單端設計，替代需要附加合成的較低功率器件 • 較高峰值功率和功率增益，用于減少系統功率放大級數和最終功率級合成 • 單級配對提供帶有余量的1.3kW功率，四路結合提供4 kW的總體系統功率 • 65V的高工作電壓，減小電源尺寸和直流電流需求 • 極高的穩健性，提高系統良率 • 放大器尺寸比使用Si BJT或LDMOS工藝器件減小50% 封裝和供貨 1011GN-700ELM以單端封裝形式供貨，采用100%高溫金(Au)金屬化和焊錫密封引線，實現長期軍用可靠性。美高森美可借出演示單元供客戶使用數周，但鑒于產品成本的緣故，不會提供免費的樣品。現在向合格客戶借出演示單元，并在公司網站www.microsemi.com上提供技術數據表。要了解更多的信息，請發送電郵至sales.support@microsemi.com. |
