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近日，在2024 IEEE IEDM國際電子器件會議上，國際商業機器公司（IBM）與日本先進芯片制造商Rapidus共同展示了雙方合作研發的多閾值電壓（MultiVt）GAA晶體管成果。這一技術突破有望為Rapidus的2nm制程量產奠定堅實基礎。 隨著芯片技術的不斷進步，傳統的FinFET（鰭式場效應晶體管）結構即將被更為先進的GAAFET（全環繞柵極場效應晶體管）取代。這一轉變對芯片制程迭代帶來了新的挑戰，特別是在2nm制程下，如何實現多閾值電壓，使芯片能夠在較低電壓下執行復雜計算，成為亟待解決的問題。 IBM表示，在2nm名義制程下，N型和P型半導體通道之間的距離相當狹窄，需要精確的光刻技術才能在實現多閾值電壓的同時，不對半導體的性能產生巨大影響。為此，IBM與Rapidus聯合開發了兩種不同的選擇性減少層（SLR）芯片構建工藝，成功克服了技術瓶頸。 在展示中，IBM詳細描述了其在多閾值電壓GAA晶體管方面的研究成果。IBM研究院的高級技術人員指出，與FinFET相比，Nanosheet納米片的結構非常不同，技術復雜度也顯著提升。然而，IBM提出的新生產工藝比以往使用的方法更為簡單，這將使Rapidus在計劃大規模生產2納米片技術時，能夠更輕松地克服技術障礙，確保生產進度。 Rapidus作為日本先進的芯片制造商，一直致力于推動半導體技術的創新與發展。此次與IBM的合作，不僅展現了Rapidus在芯片研發方面的實力，也為其未來的2nm制程量產提供了有力支持。 多閾值電壓GAA晶體管的成功研發，不僅標志著芯片技術的重大進步，更為即將到來的2nm制程量產奠定了基礎。這一技術突破有望廣泛應用于智能手機、個人電腦、云計算和人工智能等領域，推動諸多領域的創新與發展，改變人們的生活方式和工作模式。 |
