CoolMOS™ P7 功率晶體管 IPD70R600P7S / HMC8038LP4CETR SPDT開關芯片

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深圳市明佳達電子，星際金華長期（供應及回收）原裝庫存器件！
【供應，回收】IC器件：CoolMOS™ P7 功率晶體管 IPD70R600P7S / HMC8038LP4CETR SPDT開關芯片。
【長期供應】只做原裝，庫存器件，價格方面由于浮動不一，請以當天詢問為準！
【長期回收】只需原裝庫存器件，須有原廠外包裝標簽，有庫存的朋友，歡迎隨時聯絡我們！

IPD70R600P7S：700V，CoolMOS™ P7 N通道功率MOSFET 晶體管，TO-252-3
型號：IPD70R600P7S
封裝：TO-252-3
類型：CoolMOS™ P7 功率晶體管
IPD70R600P7S——規格參數：
系列：CoolMOS™ P7
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：700 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：8.5A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：600 毫歐 @ 1.8A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 90µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：10.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：364 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：43W（Tc）
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：PG-TO252-3
封裝/外殼：TO-252-3，DPAK（2 引線 +耳片），SC-63

HMC8038LP4CETR：0.1GHz至6.0GHz，高隔離度、硅SPDT、非反射開關
型號：HMC8038LP4CETR
封裝：LFCSP-16
類型：單刀雙擲(SPDT)開關芯片
概述：HMC8038LP4CETR是一款高隔離度、非反射式、0.1 GHz至6.0 GH、單刀雙擲(SPDT)開關芯片，采用無引腳、表貼封裝。 該開關非常適合蜂窩基礎設施應用，可實現高達4.0 GHz的62 dB隔離、高達4.0 GHz的0.8 dB低插入損耗和60 dBm輸入三階交調截點。
HMC8038LP4CETR——產品屬性：
非反射式50 Ω設計
高隔離度： 60 dB（典型值）
低插入損耗： 0.8 dB（典型值）
高功率處理
34 dBm（通過路徑）
29 dBm（端接路徑）
高線性度
0.1 dB壓縮(P0.1dB)： 35 dBm（典型值）
輸入三階交調截點(IP3)： 60 dBm（典型值）
ESD額定值
4 kV人體模型(HBM)，3A類
1.25 kV充電器模型(CDM)
單正電源
3.3 V至5 V
1.8 V兼容控制

【供應，回收】IC器件：CoolMOS™ P7 功率晶體管 IPD70R600P7S / HMC8038LP4CETR SPDT開關芯片，明佳達電子，星際金華長期供求原裝庫存器件，有興趣的朋友，歡迎隨時聯絡我們！