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科銳公司（CREE）推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基（GaN-on-SiC）裸芯片產品系列。該創新型產品系列能夠使得固態放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。 科銳無線射頻銷售與市場總監 Tom Dekker 表示：“與同頻率范圍的 GaAs 晶體管相比，科銳0.25微米GaN HEMT裸芯片產品系列擁有更顯著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能夠實現更高效率的綜合功率方案，從而提升固態功率放大器在 C 波段、X 波段以及 Ku 波段的性能�！� 主要的市場應用包括航海雷達、醫療成像、工業及衛星通信等領域。與 GaAs 晶體管相比，固態放大器具有更高的可靠性、更低的成本以及更卓越的效率，并且能夠縮小功率放大器和電源的體積。GaN HEMT 功率放大器的高效率能夠有效地降低發射機的功率消耗。 科銳無線射頻業務發展經理 Ray Pengelly 表示：“科銳0.25微米GaN HEMT產品擁有突破性的性能，效率和帶寬的顯著提高實現了GaAs晶體管所不能達到的晶體管性能水平。例如，開關模式的高功率放大器（HPA）能夠在微波頻率段提供超過80%的功率附加效率。在功率超過10W時，GaN HEMT HPA 的瞬時帶寬可達6至18GHz。0.25微米 GaN 產品所提供的卓越性能使得系統工程師能夠重新設計 GaAs 晶體管和行波管�！� 在40V 漏極電壓和Ku 波段工作頻率范圍內，全新GaN HEMT 裸芯片產品 CGHV1J006D、CGHV1J025D 以及 CGHV1J070D 的額定輸出功率分別為6W、25W 和70W。 新型碳化硅襯底氮化鎵裸芯片產品系列采用科銳專利技術，同時可擴展性的大信號器件模型能夠與安捷倫公司的 Advanced Design System 以及 AWR 公司的 Microwave Office 模擬平臺相兼容，因此無線射頻設計工程師能夠準確地模擬先進的射頻放大器電路，從而顯著縮短設計周期并實現更高微波頻率。0.25微米碳化硅襯底氮化鎵 HEMT 工藝具有業界領先的可靠性，并能夠在 40V 的漏極電壓下工作。當通道溫度高達225 攝氏度時，平均無故障運行時間超過一百萬小時。 如欲了解更多科銳全新0.25微米碳化硅襯底氮化鎵HEMT 裸芯片系列產品詳情，敬請訪問： www.cree.com/rf 。 |
