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ICeGaN HEMT與IGBT的并聯組合實現了高效率與低成本的雙重優勢 無晶圓廠環保科技半導體公司Cambridge GaN Devices (CGD)專注于開發高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力于簡化綠色電子產品的設計和實施。近日，CGD進一步公布了關于ICeGaN GaN 技術解決方案的詳情，該方案將助力公司進軍功率超過100kW的電動汽車動力總成應用市場，這一市場規模預計超過100億美元。Combo ICeGaN通過將智慧ICeGaN HEMT IC與IGBT（絕緣柵雙極晶體管）集成在同一模塊或智能功率模塊（IPM）中，不僅實現了高效率，還提供一種更具有成本效益的替代方案，以取代昂貴的碳化硅（SiC）解決方案。 
GIORGIA LONGOBARDI博士 |CGD創辦人兼首席執行長 “目前，電動汽車動力總成的逆變器主要面臨兩種選擇：一種是采用低成本的IGBT，但在輕負載條件下效率較低; 另一種是使用效率極高但價格昂貴的碳化硅（SiC）器件。 我們全新的Combo ICeGaN解決方案通過智慧結合氮化鎵（GaN）和硅技術的優勢，為電動汽車行業帶來革命性突破，在顯著降低成本的同時實現最高效率。這將實現更快的充電速度和更長的續航里程。 我們已與多家頂級電動汽車制造商及其供應鏈合作伙伴緊密合作，加速將這一技術創新推向市場。 ” 獨特的Combo ICeGaN技術解決方案充分利用了ICeGaN與IGBT器件在驅動電壓范圍（如 0-20V）和柵極耐受性方面的相似性，使兩者能夠在并聯架構中高效協同工作。在實際運行中，ICeGaN開關在較低電流（輕負載）下表現出較高的效率，具備低導通損耗和低開關損耗; 而IGBT則在較高電流（接近滿載或浪涌條件）時發揮主導作用。Combo ICeGaN還結合了IGBT的高飽和電流和雪崩鉗位能力，以及ICeGaN 的高效開關特性，進一步提升了整體性能。 在高溫環境下，IGBT的雙極特性使其能在較低的導通電壓下導通，從而有效彌補 ICeGaN 的電流損失; 相反，在低溫條件下，ICeGaN將承擔更多的電流。這一方案通過智慧化的感測和保護功能，優化了Combo ICeGaN的驅動方式，同時擴展了ICeGaN與IGBT設備的安全工作區域（SOA），確保系統的穩定性和可靠性。 ICeGaN 技術使電動汽車工程師能夠在DC-DC轉換器、車載充電器（OBC）以及未來的牽引逆變器中充分利用GaN技術的優勢。Combo ICeGaN進一步拓展了CGGaN技術應用范圍，進入功率超過 100kW的牽引逆變器市場。ICeGaN IC已被驗證具備極高的可靠性，而IGBT在牽引系統和電動汽車應用中也有著長期且可靠的應用記錄。此外，CGD還成功驗證了ICeGaN與SiC MOSFET并聯組合方案的可行性。在IEDM論文中詳細介紹的Combo ICeGaN方案無疑是更具成本效益的選擇。 CGD預計將在今年年底推出可運行的Combo ICeGaN演示版本，為電動汽車動力系統提供更高效、更經濟的解決方案。 FLORIN UDREA教授 |CGD創始人兼首席技術長 “在功率器件領域工作了三十年，這是我第一次遇到如此完美互補的技術組合。ICeGaN在輕負載條件下表現出極高的速度和卓越的性能，而IGBT在滿載、浪涌條件以及高溫環境下展現出顯著優勢。ICeGaN提供了高度集成的片上智能功能，而IGBT則具備雪崩能力為系統保駕護航。兩者均采用硅基底，這不僅顯著降低了成本，還充分利用了基礎設施和制造工藝優勢。 ” CGD將參展APEC（應用電力電子會議與博覽會）。如需了解更多關于Combo ICeGaN的詳細信息，歡迎于2025年3 月16-20日蒞臨喬治亞世界會議中心（亞特蘭大喬治亞州）2039展位。 www.camgandevices.com 聯絡信息 CGD數位營銷經理： Weiyi Pan | +44 7410 506783 weiyi.pan@camgandevices.com Jeffreys Building, Suite 8, Cowley Road, Cambridge CB4 0DS |
