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日前，SiC & GaN功率器件設計和方案商派恩杰官方正式宣告與德國Foxy Power合作組建歐洲&北美銷售團隊。 派恩杰負責市場與銷售的副總裁高治廷先生表示：“過去三年，派恩杰潛心研發，已經發布了50余款650V/1200V/1700V SiC SBD、650V , 1200V , 1700V , 750V SiC MOS、650V GaN HEMT功率器件，這些產品在海內外都已經被一些一線客戶導入使用。經第三方機構&全球一線客戶實機測試驗證，產品性能已達國際一流水平。我們爭取成為在海外市場最大份額的中國SiC & GaN品牌。” 據了解，派恩杰是成立于2018年9月的第三代半導體功率器件設計和方案商，目前已是國際標準委員會JC-70會議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導體功率器件國際標準。其創始人黃興是美國北卡州立大學博士，師承Dr. B. Jayant Baliga（IEEE終身會員，美國科學院院士，IGBT發明者，奧巴馬授予國家技術創新獎章）與Dr. Alex Q. Huang（IEEE Fellow, 發射極關斷晶閘管（ETO）的發明者），在Cree / RFMD(Qorvo) / USCi等有長達十年的SiC & GaN功率器件設計經驗，累計發布10余篇科技論文，超過350次引用，20余項專利發明，技術實力非常強。 為此，2019年3月，派恩杰成立僅6個月即發布了第一款可兼容驅動650V GaN功率器件。同年8月完成Gen3技術的1200V SiC MOS，填補了國內空白。2020年先后發布用于5G數據中心、服務器與工業輔助電源的650V、1700V工業級MOS以及用于車載充電機的650V車規級MOS。2021年2月發布1200V大電流車規級MOS，應用于電動汽車電驅單管及模塊。 官方資料顯示，派恩杰的SiC晶圓是由全球晶圓代工龍頭企業X-FAB生產制作的。X-Fab是全球第一家提供150mm SiC工藝的foundry，同時也是當前全球具備規�；慨a能力的SiC晶圓代工廠TOP3，產能和品質都很可靠。 耐高溫、高頻、大功率、高壓等特性，使得SiC器件在軌道交通、電網、光伏逆變器、新能源汽車、充電樁等多個領域扮演著重要角色。而GaN技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出等應用。中國企業近年來快速布局第三代半導體領域。作為寬禁帶半導體功率器件的新秀，派恩杰開始布局全球，這說明中國第三代半導體企業的技術水平已經有機會可以與國際企業一爭高下。 |
