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ROHM開(kāi)始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

發(fā)布時(shí)間:2023-5-16 19:26    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: GaN , 氮化鎵 , HEMT
~非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化~

ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn),這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。

據(jù)悉,電源和電機(jī)的用電量占全世界用電量的一大半,為實(shí)現(xiàn)無(wú)碳社會(huì),如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì)問(wèn)題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵,SiC (Silicon Carbide:碳化硅)和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年,ROHM將柵極耐壓高達(dá)8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產(chǎn);2023年3月,又確立了能夠更大程度地發(fā)揮出GaN性能的控制IC技術(shù)。此次,為了助力各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化,ROHM又推出器件性能達(dá)到業(yè)界超高水平的650V耐壓GaN HEMT。

新產(chǎn)品是ROHM與Delta Electronics, Inc. (以下簡(jiǎn)稱“臺(tái)達(dá)電子”)的子公司——專注于GaN元器件開(kāi)發(fā)的Ancora Semiconductors Inc.(以下簡(jiǎn)稱“碇基半導(dǎo)體”)聯(lián)合開(kāi)發(fā)而成的,在650V GaN HEMT的器件性能指數(shù)(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss*2)方面,達(dá)到了業(yè)界超高水平。因此,新產(chǎn)品可以大大降低開(kāi)關(guān)損耗,從而能夠進(jìn)一步提高電源系統(tǒng)的效率。另外,新產(chǎn)品還內(nèi)置ESD*3保護(hù)器件,將抗靜電能力提高至3.5kV,這將有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的可靠性。不僅如此,新產(chǎn)品還具有GaN HEMT器件的優(yōu)勢(shì)——高速開(kāi)關(guān)工作,從而有助于外圍元器件的小型化。

新產(chǎn)品已于2023年4月起投入量產(chǎn)(樣品價(jià)格 5,000日元/個(gè),不含稅),并已開(kāi)始網(wǎng)售,通過(guò)Ameya360、Sekorm等電商平臺(tái)均可購(gòu)買。



ROHM將有助于應(yīng)用產(chǎn)品的節(jié)能和小型化的GaN器件命名為“EcoGaN系列”,并不斷致力于進(jìn)一步提高器件的性能。另外,除了元器件的開(kāi)發(fā),ROHM還積極與業(yè)內(nèi)相關(guān)企業(yè)建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系并推動(dòng)聯(lián)合開(kāi)發(fā),通過(guò)助力應(yīng)用產(chǎn)品的效率提升和小型化,持續(xù)為解決社會(huì)問(wèn)題貢獻(xiàn)力量。



<什么是EcoGaN>
EcoGaN是通過(guò)更大程度地發(fā)揮GaN的性能,助力應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步節(jié)能和小型化的ROHM GaN器件,該系列產(chǎn)品有助于應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步降低功耗、實(shí)現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設(shè)計(jì)工時(shí)和元器件數(shù)量等。
・EcoGaN是ROHM Co., Ltd.的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。

<產(chǎn)品陣容>



<應(yīng)用示例>
包括服務(wù)器和AC適配器在內(nèi)的各種工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子領(lǐng)域的電源系統(tǒng)

<電商銷售信息>
起售時(shí)間:2023年4月開(kāi)始
電商平臺(tái):Ameya360、Sekorm
新產(chǎn)品在其他電商平臺(tái)也將逐步發(fā)售。




<術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>
*1) GaN HEMT
GaN(氮化鎵)是一種用于新一代功率元器件的化合物半導(dǎo)體材料。與普通的半導(dǎo)體材料——Si(硅)相比,具有更優(yōu)異的物理性能,目前,因其具有出色的高頻特性,越來(lái)越多的應(yīng)用開(kāi)始采用這種材料。
HEMT是High Electron Mobility Transistor(高電子遷移率晶體管)的英文首字母縮寫(xiě)。

*2) RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss
是用來(lái)評(píng)估器件性能的指標(biāo),其中Ciss是指從輸入端看的總電容,Coss是指從輸出端看的總電容。
該值越低,開(kāi)關(guān)速度越快,開(kāi)關(guān)時(shí)的損耗越小。

*3) ESD(Electro-Static Discharge:靜電放電)
當(dāng)人體和電子設(shè)備等帶電物體相互接觸時(shí)會(huì)產(chǎn)生靜電。這種靜電會(huì)導(dǎo)致電路和設(shè)備發(fā)生誤動(dòng)作甚至損壞。

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