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借助高集成度 TOLL 封裝 GaN 器件推動(dòng)電源設(shè)計(jì)創(chuàng)新

發(fā)布時(shí)間:2025-6-4 18:38    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 氮化鎵 , GaN , TOLL封裝


作者:德州儀器

當(dāng)今的電源設(shè)計(jì)要求高效率和高功率密度。因此,設(shè)計(jì)人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?br />
GaN 可實(shí)現(xiàn)高頻開(kāi)關(guān),這樣可減小無(wú)源器件的尺寸,從而增加密度。與硅和碳化硅 (SiC) 之類的技術(shù)相比,GaN 還可降低開(kāi)關(guān)、柵極驅(qū)動(dòng)和反向恢復(fù)損耗,從而提高電源設(shè)計(jì)效率。

您可以使用 650V GaN FET 進(jìn)行 AC/DC 至 DC/DC 轉(zhuǎn)換,或使用 100V 或 200V GaN FET 進(jìn)行 DC/DC 轉(zhuǎn)換以實(shí)現(xiàn)電源供應(yīng)。

如果您從事尖端產(chǎn)品的研發(fā),為了簡(jiǎn)化采購(gòu)團(tuán)隊(duì)的供應(yīng)鏈,選擇采用業(yè)界通用封裝的器件也很重要。因此,對(duì)于 650V 應(yīng)用,變壓器外形無(wú)引腳 (TOLL) 封裝在高功率電源設(shè)計(jì)中越來(lái)越受歡迎。

除了選擇業(yè)界通用器件之外,德州儀器 (TI) 的 LMG3650R035 GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 之類的集成器件在創(chuàng)建跨各種電源拓?fù)涞母呙芏取⒖煽窟\(yùn)行的設(shè)計(jì)時(shí)也可發(fā)揮重要作用。該器件具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器以及過(guò)流保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)和短路保護(hù)等保護(hù)電路。集成保護(hù)電路有助于減少實(shí)現(xiàn)這些特性所需的外部元件。該器件還支持高壓應(yīng)用中的多種電源拓?fù),包括圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)、電感電容器、相移全橋和雙有源電橋。

集成柵極驅(qū)動(dòng)器可幫助您創(chuàng)建簡(jiǎn)潔的高密度布局,同時(shí)顯著減少寄生耦合,如 圖 1 所示。集成在高開(kāi)關(guān)頻率的電源轉(zhuǎn)換中變得尤為重要,因?yàn)闁艠O環(huán)路中的電路寄生耦合會(huì)導(dǎo)致柵極噪聲和重疊損耗增加。使用集成式功率級(jí),寄生耦合可以忽略不計(jì),并且能簡(jiǎn)化布局。


圖 1: 電路寄生效應(yīng)集成式 GaN 功率級(jí)與分立式 GaN

TI 高壓 TOLL 器件的應(yīng)用領(lǐng)域

讓我們回顧一下 TI 的 TOLL 器件的幾個(gè)主要應(yīng)用領(lǐng)域,在這些領(lǐng)域中,您可以利用集成保護(hù)特性、集成零電壓檢測(cè)(可減少第三象限損耗)以及可忽略不計(jì)的寄生耦合導(dǎo)致的更低重疊開(kāi)關(guān)損耗。

用于數(shù)據(jù)中心和電信供電的 PSU

隨著對(duì)數(shù)據(jù)中心和超大規(guī)模計(jì)算的需求不斷增長(zhǎng),打造高效且高功率密度的電源單元 (PSU) 的需要將呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。即使電信領(lǐng)域從 4G 發(fā)展到5G(以及現(xiàn)在的 6G),設(shè)備的功率要求也在不斷提高,而外形尺寸仍然不變。

這種情況成為集成 650V TOLL 器件的典型用例,主要通過(guò) PFC 和 DC/DC 級(jí)將交流電源轉(zhuǎn)換為直流總線,如 圖 2 所示。對(duì)于前面提到的拓?fù),我們采?TOLL 封裝的 GaN 器件可在 PFC 級(jí)實(shí)現(xiàn)超過(guò) 99% 的效率,在 DC/DC 級(jí)實(shí)現(xiàn)超過(guò) 98% 的效率。
         

圖 2: PSU 方框圖

太陽(yáng)能微型逆變器

太陽(yáng)能作為一種電源正在呈現(xiàn)上升趨勢(shì)。如 圖 3 所示,雙向 DC/DC 和 PFC 以及逆變器級(jí)均可使用集成 GaN TOLL 器件將太陽(yáng)能電池板電壓轉(zhuǎn)換為交流電。隨著清潔能源要求的迅速提高,使用業(yè)界通用器件實(shí)現(xiàn)高效率、高功率和小尺寸非常重要。

TOLL GaN 器件可通過(guò)業(yè)界通用的封裝尺寸和集成特性增加價(jià)值。這些器件可幫助您使用不同的漏源導(dǎo)通電阻調(diào)整到不同的功率級(jí)別以及不同拓?fù),同時(shí)不需要費(fèi)心考慮布局,因?yàn)榇蠖鄶?shù)檢測(cè)和優(yōu)化特性都已集成在功率級(jí)中。


圖 3: 微型逆變器方框圖

電視電源

大屏幕(40 英寸以上)電視市場(chǎng)具有相當(dāng)大的增長(zhǎng)潛力,而且出于美學(xué)考慮,屏幕變得越來(lái)越輕、越來(lái)越薄。由于屏幕越大對(duì)功率的要求越高,但更為輕薄,因此提高電視的能效非常重要。AC/DC 轉(zhuǎn)換可以利用 PFC 和 DC/DC 級(jí)中的 TOLL 器件。

集成 TOLL GaN 器件讓您能夠保持無(wú)源器件的尺寸不變,并通過(guò)簡(jiǎn)單的布線盡可能減少外部電路,從而獲得更薄的印刷電路板。該設(shè)計(jì)還將更加高效,同時(shí)仍采用業(yè)界通用封裝。

2W、3W 和 4W 車(chē)載充電器

在全球致力于努力減少尾氣排放的時(shí)代,汽車(chē)電氣化的新聞經(jīng)久不衰。輕松實(shí)現(xiàn)移動(dòng)充電要求電動(dòng)汽車(chē)上有車(chē)載充電器 (OBC)。由于 OBC 在電動(dòng)汽車(chē)中位于底盤(pán),因此它應(yīng)具備高功率密度和高效率,以盡可能縮小占用的空間并降低損耗,因?yàn)闆](méi)有主動(dòng)冷卻功能來(lái)耗散損耗。

圖 4 顯示了典型的 OBC 方框圖。高集成度的 TOLL GaN 器件可以幫助 PFC 和 DC/DC 級(jí)通過(guò)集成以及更高的開(kāi)關(guān)頻率來(lái)優(yōu)化設(shè)計(jì)尺寸,并降低損耗(柵極驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)損耗)以實(shí)現(xiàn)更有效的熱耗散。利用 TOLL GaN 器件,在器件級(jí)還支持所有保護(hù)功能,這將有助于提高 OBC 設(shè)計(jì)的彈性,同時(shí)保持業(yè)界通用的封裝尺寸。


圖 4: 車(chē)載充電器

結(jié)語(yǔ)

未來(lái)電源設(shè)計(jì)人員面臨的最大設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)之一,是如何以盡可能低的損耗和高密度設(shè)計(jì)達(dá)到不斷提高的功率等級(jí)。通過(guò)將集成 GaN 與業(yè)界通用封裝相結(jié)合,高集成度 TOLL GaN 器件可提供出色的性能,還免去了額外電路和復(fù)雜 PCB 布局的麻煩。這有助于降低設(shè)計(jì)的冗雜程度。此外,這還將強(qiáng)化其他終端設(shè)備領(lǐng)域的設(shè)計(jì),例如,同樣重視簡(jiǎn)單、高密度設(shè)計(jì)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、工業(yè)電源和電器電源。

隨著 GaN FET 技術(shù)的突飛猛進(jìn),我們將在未來(lái)不斷投資和提高 TOLL 器件的品質(zhì)因數(shù),從而幫助設(shè)計(jì)人員努力在同一領(lǐng)域提供更高的功率。

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