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代工巨頭臺積電董事長兼首席執行官張忠謀日前承認，公司在28納米節點確實遭遇了一些問題，但是是產能而非良率問題。他在臺積電年度技術研討會上表示，臺積電28納米工藝的產量從一開始就在公司的預測范圍內。 “是的，我們確實在28納米節點上有一些困難，但主要困難是沒有足夠的產能，而不是良率，”張忠謀說。 他承認，臺積電一直陷于28納米節點工藝良率問題的傳言中。今年一月，Future Horizons公司的技術分析師Mike Bryant說臺積電28納米工藝出現了問題，工藝良率不是很好。上個月，未經證實的傳言說臺積電在二月份關閉了28納米產線。當時，臺積電拒絕對此發表評論，同時也表示‘28納米工藝’一切正常。 張忠謀表示，公司對28納米產線的產能擴張投資緩解了產能危機。他指出，臺積電2012年計劃投入超過70億美元的資本支出，這一支出在2011年是約70億，2012年50億，2009年20億。 “隨著新產能即將上線，我相信最壞的時代已經過去了，”張表示。 臺灣IT媒體Digitimes在近日的報道中說，由于擔心臺積電緊張的28納米產能，臺積電的兩個忠實客戶美國高通公司和Nvidia公司正在接洽其他代工廠。截至本篇文章發稿時，證實聯電已確定拿下高通訂單。 20nm節點將只提供單一工藝 另外臺積電還表示，將在20nm節點提供單一工藝，這與該公司過去針對不同工藝節點均提供多種工藝服務的策略稍有不同。 在臺積電年度技術研討會上，該公司執行副總裁暨共同運營長蔣尚義表示，若光刻技術無法讓14nm工藝達到合理的成本效益，那么臺積電可能會在20nm工藝之后再提供18nm或16nm工藝節點。 蔣尚義表示，臺積電最初計劃提供兩種20nm工藝，分別為高性能工藝與低功耗工藝。這兩種工藝都采用high-k金屬柵極(HKMG)技術。 然而，在歷經一段時間的發展后，蔣尚義表示，臺積電認為這兩種20nm工藝之間并沒有明顯的性能差距。由于20nm的線寬非常小，已經接近基本的物理極限了，因此也沒有太大空間針對不同的柵極長度或其他需求來調整設計規則。 臺積電目前提供四種28nm工藝，分別為：高性能；低功耗；針對移動應用的HKMG低功耗工藝，以及HKMG高性能工藝。 臺積電預計明年量產20nm HKMG工藝。2015年，臺積電希望能量產采用FinFET 3D晶體管的14nm工藝。 然而，整個半導體產業都在等待超紫外光(EUV)光刻技術。EUV技術一再延宕，迄今仍未能發展出大量生產所需的足夠光源和穩定性。光刻設備供應商ASML Holding NV公司正與數家光源供應商合作開發，并承諾在2013至2014年將可提供商用化所需的足夠的吞吐量。 然而，不少業界人士對于EUV技術能否支持臺積電和其他領先芯片制造商的技術發展藍圖抱持懷疑態度。蔣尚義指出，193nm浸入式光刻領域已經展現出長足進展，它甚至可能在14nm節點作為商用化的替代技術。然而，蔣尚義也表示，為了提供足夠銳利的影像，193nm浸入式光刻針對某些層會需要三重曝光，而針對大多數的層都會需要雙重曝光，這會讓量產成本急遽升高。 蔣尚義表示，臺積電“正在慎重考慮”是否提供18nm或16nm工藝。“一旦我們選擇這個節點，我們就必須為客戶提供至少10年的服務。” |
