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稍早前，IEEE舉辦的國際物理設計研討會(ISPD)中，與會專家探討了半導體制造朝8nm節點邁進的可能性。盡管目前有三種相互競爭的工具可用于量產，但未來的發展道路仍然荊棘遍布。來自臺積電(TSMC)的研究員Burn Lin表示，無論采用這三種方法中的哪一種，都必須先克服微縮到8nm設計規則的障礙。 這三種方法分別是采用多重圖案(multi-patterning)輔助的193nm浸入式光刻技術；超紫外光(EUV)光刻；以及電子束光刻(e-beam lithography)。據Lin表示，浸入式光刻已經接近真正可實現的階段了，但它仍面臨著不斷上升的成本障礙。EUV在13.5nm波長已經證實能用于次20nm設計規則，但它需要更好的聚焦機制和可實現更高產出的光源，以克服低于65%的光學反射率問題。而今天，我們已經知道電子束能夠用于8nm節點，但由于它的速度太慢、吞吐量過低，因此被視為最后一個技術選項。 為了解決電子束的吞吐量問題，Lin表示他們已經在KLA-Tencor和Mapper Lithography BV設備上采用大規模平行電子束，即同時讓數千個電子束來加快吞吐量，但目前僅在可靠性、一致性和精確性方面獲得改善。 在今年度的ISPD中，其中一篇最佳論文提名，是來自于臺大教授張耀文(Yao-Wen Chang)帶領的研究團隊，該論文探討了藉由重新排列寫入順序來解決大規模電子束寫入過程中的過熱問題， 以便更好地控制維度扭曲。 IBM Research的科學家Shayak Banerjee則說明如何在多邊形布局上形塑容差，這對更先進節點光刻技術將有所助益。他同時說明了運用掩膜和布局最佳化來控制這些多邊形的兩種制造方法。 
為了向8nm節點目標邁進，Mapper Lithography公司讓超過10萬個電子光束同時運作╱資料來源：Mapper Lithography 3D架構憶阻器 加州大學圣塔巴巴拉分校教授Tim Cheng的論文描述了如何運用3D技術來實現夢幻半導體──憶阻器(memristor)。 采用混合3D整合技術，Cheng的存儲器架構在密度達每平方公分100,000Gb，以及頻寬達每秒10億Gb的縱橫閂(crossbar)垂直線中夾入憶阻材料(memristive material)。 該設計的最大挑戰，是必須克服基于縱橫閂元件的細粒維度和芯片接口引腳的失配情況，Cheng已經克服了新的3D過孔朝接口引腳方向傾斜的挑戰。 而最佳論文獎則由愛荷華州立大學(Iowa State University)教授Chirs Chu獲得，他提出了一種可在VLSI固定擺置范圍平面規劃中檢測最佳化電路模組外形的演算法，與之前最先進的技術相比，其效能可提升10~100倍。 ISPD同時宣布向臺灣清華大學教授劉炯朗(Dave CL Liu)致意，他稍早前才獲得了ISPD頒發的菲爾卡夫曼獎(Phil Kaufman Award)，用以表揚他在VLSI電路物理設計方面的杰出成就。 |
