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ASML和IMEC啟用聯合High-NA EUV光刻實驗室

發布時間:2024-6-4 09:50    發布者:eechina
關鍵詞: ASML , IMEC , High-NA , EUV , 光刻實驗室
來源:大半導體產業網

自ASML官網獲悉,6月3日,比利時微電子研究中心(imec)與阿斯麥(ASML)宣布在荷蘭費爾德霍芬(Veldhoven)開設聯合High-NA EUV光刻實驗室(High NA EUV Lithography Lab),由ASML和imec共同運營。

聲明中稱,經過多年的構建和集成,該實驗室已準備好為領先的邏輯和存儲芯片制造商以及先進材料和設備供應商提供第一臺原型高數值孔徑EUV掃描儀(TWINSCAN EXE:5000)以及周圍的處理和計量工具。

據悉,該聯合實驗室的開放是High-NA EUV大批量生產準備的一個里程碑,預計將在2025-2026年期間實現。通過向領先的邏輯和存儲芯片制造商提供High-NA EUV原型掃描儀和周邊工具(包括涂層和開發軌道,計量工具,晶圓和掩膜處理系統),imec和ASML支持他們降低技術風險,并在掃描儀在其生產晶圓廠中運行之前開發私有的High-NA EUV用例。此外,還將向更廣泛的材料和設備供應商生態系統以及imec的高數值孔徑圖案化計劃提供訪問權限。
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