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來源：EXPreview 此前三星公布了到2027年的制程技術(shù)路線圖，列出了2022年6月量產(chǎn)SF3E（3nm GAA，3GAE）以后的半導(dǎo)體工藝發(fā)展計(jì)劃，包括SF3（3GAP）、SF3P（3GAP+）、SF4P、SF4X、SF2、SF3P、SF2P和SF1.4等。三星計(jì)劃今年帶來第二代3nm工藝，也就是SF3，傳聞已經(jīng)在試產(chǎn)。不過此前也有消息人士稱，三星打算將第二代3nm工藝將改為2nm工藝。 
據(jù)Business Korea報(bào)道，三星將在今年6月16日至20日舉行的“VLSI Symposium 2024”上發(fā)表一篇關(guān)于2nm（SF2）工藝中應(yīng)用第三代GAA（Gate-All-Around）晶體管工藝技術(shù)特性的論文，并帶來更多關(guān)鍵細(xì)節(jié)。 三星稱，新工藝將進(jìn)一步完善多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MBCFET）架構(gòu)，具有獨(dú)特的外延和集成工藝。與基于FinFET的工藝技術(shù)相比，晶體管性能提升了11%至46%，可變性降低26%，同時(shí)漏電降低約50%。按照三星的規(guī)劃，SF2的技術(shù)開發(fā)工作將于2024年第二季度完成，屆時(shí)其芯片合作伙伴將可以選擇在該制程節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)產(chǎn)品。 三星的努力不僅僅在突破技術(shù)界限上，過去一段時(shí)間里正不斷加強(qiáng)2nm工藝生態(tài)系統(tǒng)的建設(shè)，已經(jīng)擁有50多個(gè)合作伙伴。今年2月，三星宣布與Arm展開合作，提供基于最新的GAA晶體管技術(shù)，優(yōu)化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU內(nèi)核，盡可能地提高了性能和效率，以將用戶體驗(yàn)提升到一個(gè)新的水平。 與此同時(shí)，三星還計(jì)劃推出第三代3nm工藝，繼續(xù)提高密度并降低功耗，另外還需要繼續(xù)提升良品率。三星初代3nm工藝很難說得上成功，傳聞早期的良品率僅為20%，主要用于生產(chǎn)加密貨幣使用的芯片，缺乏大客戶的訂單支持。 |
