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近日，臺(tái)積電宣布其2納米（nm）先進(jìn)制程工藝已成功進(jìn)入試產(chǎn)階段，并取得了令人矚目的成果。據(jù)供應(yīng)鏈消息透露，臺(tái)積電在新竹縣寶山工廠進(jìn)行的2nm工藝試產(chǎn)工作中，良品率已超過(guò)60%。 此次試產(chǎn)的2nm工藝是臺(tái)積電在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域的又一里程碑。相較于前代3nm制程，全新的2nm工藝在性能上預(yù)計(jì)將有10%至15%的提升，同時(shí)在保持同等性能的前提下，功耗可降低30%。這一顯著的進(jìn)步得益于臺(tái)積電在晶體管架構(gòu)、材料科學(xué)以及生產(chǎn)工藝等方面的持續(xù)創(chuàng)新和優(yōu)化。 在半導(dǎo)體行業(yè)中，良品率是衡量芯片生產(chǎn)質(zhì)量的重要指標(biāo)之一，它直接決定了芯片的成本和供應(yīng)穩(wěn)定性。臺(tái)積電此次2nm工藝試產(chǎn)的良品率超過(guò)60%，這一數(shù)據(jù)不僅超出了公司內(nèi)部預(yù)期目標(biāo)，也遠(yuǎn)超行業(yè)平均水平。這一高良品率不僅有助于降低生產(chǎn)成本，提升生產(chǎn)效率，更為臺(tái)積電在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。 據(jù)了解，臺(tái)積電在2nm制程節(jié)點(diǎn)采用了先進(jìn)的Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管架構(gòu)，并結(jié)合了一系列創(chuàng)新技術(shù)，如NanoFlex等，為芯片設(shè)計(jì)人員提供了更多的設(shè)計(jì)靈活性。這些技術(shù)創(chuàng)新不僅提升了芯片的性能和功耗表現(xiàn)，還為現(xiàn)代CPU、GPU和SoC設(shè)計(jì)提供了更大容量的緩存，從而在處理大批量數(shù)據(jù)時(shí)能夠顯著提高數(shù)據(jù)處理速度。 臺(tái)積電表示，盡管目前2nm工藝仍處于試產(chǎn)初期階段，但一切都按計(jì)劃穩(wěn)步進(jìn)行。公司預(yù)計(jì)在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)，將進(jìn)一步提升良品率，并加快2nm產(chǎn)線的建設(shè)，以滿足市場(chǎng)對(duì)2nm工藝技術(shù)的強(qiáng)勁需求。根據(jù)臺(tái)積電的計(jì)劃，2nm工藝預(yù)計(jì)將于2025年下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段，客戶最快在2026年前就能收到首批采用2nm工藝制造的芯片。 |
